利用MPCVD技术制备Mo2C及其性能研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 碳化钼的结构与应用现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 碳化钼的结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 碳化钼的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.3 碳化钼的应用 | 第17-19页 |
| 1.3 碳化钼的制备方法 | 第19-26页 |
| 1.3.1 程序升温反应法 | 第19-21页 |
| 1.3.2 热分解法 | 第21页 |
| 1.3.3 液相反应法 | 第21-24页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第24-26页 |
| 1.3.5 微波辅助制备法 | 第26页 |
| 1.4 本工作的主要意义和研究内容 | 第26-29页 |
| 第2章 实验设备与表征方法 | 第29-37页 |
| 2.1 实验设备 | 第29页 |
| 2.2 实验参数 | 第29-30页 |
| 2.3 Mo_2C的结构与性质表征 | 第30-34页 |
| 2.3.1 X射线衍射及结构精修 | 第30-31页 |
| 2.3.2 电子衍射花样标定 | 第31-32页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第32-33页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第33页 |
| 2.3.5 X射线光电子谱 | 第33页 |
| 2.3.6 拉曼光谱 | 第33-34页 |
| 2.4 Mo_2C的性能测试 | 第34-37页 |
| 2.4.1 超导性能测试 | 第34-35页 |
| 2.4.2 光催化性能测试 | 第35-37页 |
| 第3章 Mo_2C的 MPCVD技术制备与研究 | 第37-51页 |
| 3.1 Mo_2C的 MPCVD技术制备工艺研究 | 第37-43页 |
| 3.1.1 合成温度对产物组分的影响 | 第37-40页 |
| 3.1.2 制备时间对产物组分的影响 | 第40-43页 |
| 3.2 Mo_2C晶体的结构与形貌分析 | 第43-44页 |
| 3.3 Mo_2C晶体的元素与价态分析 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-51页 |
| 第4章 Mo_2C晶体的超导及其光催化性能的研究 | 第51-61页 |
| 4.1 Mo_2C晶体的超导性质研究 | 第51-55页 |
| 4.1.1 超导VSM测试 | 第51-52页 |
| 4.1.2 不同的制备时间对Tc的影响 | 第52-54页 |
| 4.1.3 四探针法测试 | 第54-55页 |
| 4.2 Mo_2C晶体的光催化性质研究 | 第55-58页 |
| 4.2.1 不同制备时间对光催化性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.2 Mo_2C晶体对RhB的吸光度测试 | 第56-57页 |
| 4.2.3 Mo_2C晶体对RhB降解速率的研究 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-61页 |
| 第5章 论文总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 论文总结 | 第61-62页 |
| 5.2 论文展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
