首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

大功率LED用高导热铝基覆铜板的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-15页
    1.1 研究背景及意义第8-11页
        1.1.1 散热是制约大功率LED发展的主要因素第8-10页
        1.1.2 封装基板的发展第10-11页
    1.2 铝基覆铜板的国内外研究现状和发展趋势第11-12页
    1.3 课题研究内容、创新性及意义第12-15页
        1.3.1 研究内容第12-13页
        1.3.2 课题创新性及意义第13-15页
第二章 实验设备和方法第15-20页
    2.1 微弧氧化基板的制备第15-16页
        2.1.1 实验设备第15页
        2.1.2 实验材料选择第15页
        2.1.3 工艺流程第15-16页
    2.2 微弧氧化膜层分析第16页
        2.2.1 扫描电镜SEM观察第16页
        2.2.2 X射线衍射分析第16页
        2.2.3 膜层厚度测量第16页
    2.3 导热性能测试设备与方法第16-18页
    2.4 绝缘性能的测试第18-19页
        2.4.1 绝缘电阻第18页
        2.4.2 绝缘强度(击穿电压)第18-19页
    2.5 附着力性能测试第19-20页
第三章 大功率LED模型的传热分析第20-31页
    3.1 建立大功率LED传热模型第20-23页
        3.1.1 传热表征物理量:热阻和导热系数第20-22页
        3.1.2 LED等效热阻模型第22-23页
    3.2 ANSYS软件仿真模拟分析第23-29页
        3.2.1 ANSYS软件介绍第23-24页
        3.2.2 仿真目标第24页
        3.2.3 仿真模型建立第24-25页
        3.2.4 不同导热系数的绝缘层基板的散热性能分析第25-27页
        3.2.5 不同厚度的绝缘层散热性能影响第27-29页
        3.2.6 仿真结论分析第29页
    3.3 本章小结第29-31页
第四章 微弧氧化基板的制备第31-41页
    4.1 电解液成分对微弧氧化基板的影响第31-34页
        4.1.1 电解质溶液配比对膜层厚度的影响第31-33页
        4.1.2 电解质溶液配比对膜层表观形貌的影响第33-34页
    4.2 终止电压对微弧氧化基板的影响第34-36页
    4.3 处理时间对微弧氧化基板的影响第36-37页
    4.4 频率对微弧氧化基板的影响第37-38页
    4.5 占空比对微弧氧化基板的影响第38-39页
    4.6 本章小结第39-41页
第五章 微弧氧化铝基板性能测试第41-53页
    5.1 微弧氧化基板散热性能的测量与分析第41-44页
        5.1.1 终止电压对陶瓷膜层散热性能的影响第41-42页
        5.1.2 占空比对陶瓷膜层散热性能的影响第42-43页
        5.1.3 处理时间对陶瓷膜层散热性能的影响第43-44页
    5.2 微弧氧化基板绝缘性能的测试与分析第44-51页
        5.2.1 电解液对微弧氧化基板绝缘性能影响第45-46页
        5.2.2 处理时间微弧氧化基板绝缘性能影响第46-47页
        5.2.3 电源频率对微弧氧化基板绝缘性的影响第47-49页
        5.2.4 占空比对微弧氧化基板绝缘性的影响第49-51页
    5.3 附着力测试与分析第51-52页
    5.4 本章小结第52-53页
结论第53-54页
参考文献第54-58页
致谢第58页

论文共58页,点击 下载论文
上一篇:倒装叠层金钉头凸点键合成型仿真及可靠性研究
下一篇:一种融合劫的开放域UCT算法研究