| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 微波铁氧体材料 | 第11-13页 |
| 1.2.1 微波铁氧体材料的分类 | 第11页 |
| 1.2.2 YIG的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.3 YIG的发展与研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 薄膜生长模型及应力分析 | 第13-18页 |
| 1.3.1 薄膜生长模型 | 第13-15页 |
| 1.3.2 应力分析 | 第15-18页 |
| 1.4 磁控溅射技术简介与YIG薄膜表征技术 | 第18-21页 |
| 1.4.1 磁控溅射技术 | 第18-19页 |
| 1.4.2 实验所用仪器 | 第19-20页 |
| 1.4.3 表征技术 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文主要工作与内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 探究分段退火方式对沉积在Si基片上YIG薄膜的性能影响 | 第23-34页 |
| 2.1 磁控溅射制备YIG薄膜的工艺流程 | 第23-26页 |
| 2.1.1 两段烧结法制备YIG靶材 | 第23-25页 |
| 2.1.2 基片的清洗 | 第25页 |
| 2.1.3 YIG薄膜的溅射沉积 | 第25-26页 |
| 2.2 203 nm厚度下的YIG薄膜的退火条件与性能的关系问题 | 第26-30页 |
| 2.2.1 薄膜结晶性与薄膜退火条件的关系问题 | 第26-27页 |
| 2.2.2 薄膜的微观形貌和退火条件的关系问题 | 第27-28页 |
| 2.2.3 薄膜的饱和磁化强度和退火条件的关系问题 | 第28-29页 |
| 2.2.4 薄膜的铁磁共振线宽和退火条件的关系问题 | 第29-30页 |
| 2.3 304 nm厚度下的YIG薄膜的退火条件与性能的关系问题 | 第30-33页 |
| 2.3.1 薄膜结晶性与薄膜退火条件的关系问题 | 第30-31页 |
| 2.3.2 薄膜的微观形貌和退火条件的关系问题 | 第31-32页 |
| 2.3.3 薄膜的饱和磁化强度和退火条件的关系问题 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 探究分段退火方式对沉积在GGG基片上YIG薄膜的性能影响 | 第34-43页 |
| 3.1 探究分段退火方式对厚度为3.5mm的YIG薄膜的影响 | 第34-38页 |
| 3.1.1 YIG薄膜的制备工艺 | 第34页 |
| 3.1.2 分段退火方式对薄膜微观形貌的影响研究 | 第34-36页 |
| 3.1.3 分段退火方式对薄膜结晶性的影响研究 | 第36-37页 |
| 3.1.4 分段退火方式对薄膜磁性能的影响研究 | 第37-38页 |
| 3.2 探究分段退火方式对厚度为4.0mm的YIG薄膜的影响 | 第38-42页 |
| 3.2.1 YIG薄膜的制备工艺 | 第38页 |
| 3.2.2 分段退火方式对薄膜微观形貌的影响研究 | 第38-40页 |
| 3.2.3 分段退火方式对薄膜结晶性的影响研究 | 第40-41页 |
| 3.2.4 分段退火方式对薄膜磁性能的影响研究 | 第41-42页 |
| 3.3 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 探究分段退火方式及间断沉积法对Si基片上制备的YIG薄膜的性能影响 | 第43-50页 |
| 4.1 分段退火方式结合间断沉积法(150nm+150nm)制备亚微米级YIG薄膜 | 第43-46页 |
| 4.1.1 150 nm+150nm模式工艺流程 | 第43-44页 |
| 4.1.2 实验结果与讨论 | 第44-46页 |
| 4.2 分段退火方式结合间断沉积法(200nm+200nm)制备亚微米级YIG薄膜 | 第46-49页 |
| 4.2.1 200 nm+200nm模式工艺流程 | 第46-47页 |
| 4.2.2 实验结果与讨论 | 第47-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录 | 第58页 |
