| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 高压对物质的作用 | 第16-18页 |
| 1.2 高压物理学的发展历程 | 第18-20页 |
| 1.3 高压实验技术介绍 | 第20-28页 |
| 1.3.1 高压技术的分类 | 第20-21页 |
| 1.3.2 DAC工作原理 | 第21-23页 |
| 1.3.3 压力的标定 | 第23-24页 |
| 1.3.4 高压科学在不同领域的研究 | 第24-25页 |
| 1.3.5 本论文的选题目的和意义 | 第25-28页 |
| 第二章 高压原位实验技术与测量 | 第28-39页 |
| 2.1 样品腔的制作 | 第28-30页 |
| 2.2 金刚石对顶砧微电路的集成和样品的填装 | 第30-32页 |
| 2.3 高压原位电阻率测量方法 | 第32-39页 |
| 2.3.1 Van der Pauw法测量电阻率原理 | 第32-34页 |
| 2.3.2 变温电阻率测量方法 | 第34-35页 |
| 2.3.3 交流阻抗谱测量方法 | 第35-39页 |
| 第三章 InP电输运性质的研究 | 第39-48页 |
| 3.1 InP样品XRD的表征 | 第39-40页 |
| 3.2 高压下InP原位电阻率的测量 | 第40-44页 |
| 3.2.1 常态下InP原位电阻率测量 | 第40-41页 |
| 3.2.2 高压下InP变温电阻率测量 | 第41-44页 |
| 3.3 高压下InP交流阻抗谱的测量 | 第44-46页 |
| 3.4 高压下InP交的弛豫频率 | 第46-47页 |
| 3.5 InP泄压交流阻抗谱 | 第47-48页 |
| 第四章 InP理论计算的研究 | 第48-52页 |
| 4.1 InP焓值的计算 | 第48-49页 |
| 4.2 InP体积的计算 | 第49-50页 |
| 4.3 InP能带结构的计算 | 第50-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 附录A (攻读硕士学位期间发表论文目录) | 第63-64页 |
| 附录B (专利摘要和附图) | 第64页 |