多晶硅薄膜晶体管低频噪声的建模与表征
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 多晶硅薄膜晶体管技术简介 | 第7-9页 |
| 1.2 实验样品器件的制备工艺 | 第9-10页 |
| 1.3 低频噪声研究现状简述 | 第10-11页 |
| 1.4 论文主要工作及结构安排 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-14页 |
| 第二章 半导体器件噪声的机制 | 第14-26页 |
| 2.1 噪声基础简介 | 第14页 |
| 2.2 半导体器件噪声分类 | 第14-18页 |
| 2.3 1/f 噪声模型 | 第18-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第三章 低频噪声的测试 | 第26-33页 |
| 3.1 测试系统介绍 | 第26-29页 |
| 3.2 测试操作流程 | 第29-30页 |
| 3.3 测试结果 | 第30-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 多晶硅薄膜晶体管低频噪声建模 | 第33-50页 |
| 4.1 模型的推导 | 第33-40页 |
| 4.2 器件参数的提取 | 第40-45页 |
| 4.3 模型的验证 | 第45-46页 |
| 4.4 基于模型的器件表征 | 第46-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第五章 结论及未来工作 | 第50-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |