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多晶硅薄膜晶体管低频噪声的建模与表征

中文摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第7-14页
    1.1 多晶硅薄膜晶体管技术简介第7-9页
    1.2 实验样品器件的制备工艺第9-10页
    1.3 低频噪声研究现状简述第10-11页
    1.4 论文主要工作及结构安排第11-12页
    参考文献第12-14页
第二章 半导体器件噪声的机制第14-26页
    2.1 噪声基础简介第14页
    2.2 半导体器件噪声分类第14-18页
    2.3 1/f 噪声模型第18-24页
    2.4 本章小结第24页
    参考文献第24-26页
第三章 低频噪声的测试第26-33页
    3.1 测试系统介绍第26-29页
    3.2 测试操作流程第29-30页
    3.3 测试结果第30-32页
    3.4 本章小结第32-33页
第四章 多晶硅薄膜晶体管低频噪声建模第33-50页
    4.1 模型的推导第33-40页
    4.2 器件参数的提取第40-45页
    4.3 模型的验证第45-46页
    4.4 基于模型的器件表征第46-48页
    4.5 本章小结第48-49页
    参考文献第49-50页
第五章 结论及未来工作第50-51页
攻读硕士学位期间发表的论文第51-52页
致谢第52-53页

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