| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 碳化硅器件的发展概况 | 第11-14页 |
| 1.3 SiC功率器件的特性 | 第14-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 高性能SiC-MOSFET逆变器设计 | 第19-29页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 高频滤波装置的研究 | 第19-21页 |
| 2.2.1 高频滤波电感分析设计 | 第19-21页 |
| 2.2.2 滤波电容分析与选取 | 第21页 |
| 2.3 散热装置的分析与研究 | 第21-28页 |
| 2.3.1 基于SPWM调制功率损耗分析 | 第21-25页 |
| 2.3.2 散热系统的设计 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 不同脉宽调制的仿真与计算 | 第29-37页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 不同空间矢量脉宽调制仿真分析 | 第29-32页 |
| 3.2.1 空间矢量脉宽调制 | 第29-31页 |
| 3.2.2 不连续空间矢量脉宽调制 | 第31-32页 |
| 3.3 不同空间矢量脉宽调制损耗与效率分析 | 第32-36页 |
| 3.3.1 空间矢量脉宽调制损耗 | 第32-33页 |
| 3.3.2 不连续空间矢量脉宽调制损耗 | 第33-34页 |
| 3.3.3 整体效率计算 | 第34页 |
| 3.3.4 脉宽调制损耗与效率比较 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 基于SiC MOSFET逆变系统的实验验证 | 第37-51页 |
| 4.1 引言 | 第37-38页 |
| 4.2 实验波形分析 | 第38-43页 |
| 4.2.1 MOSFET栅极波形 | 第38页 |
| 4.2.2 实验输出波形 | 第38-43页 |
| 4.3 逆变系统温度分析比较 | 第43-45页 |
| 4.4 逆变系统效率分析比较 | 第45-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |