| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 基于半导体技术的非易失性存储器 | 第10-11页 |
| 1.3 磁存储器 | 第11-12页 |
| 1.4 磁致电阻存储器 | 第12-14页 |
| 1.5 铁电存储器 | 第14页 |
| 1.6 阻变存储器 | 第14-17页 |
| 1.7 阻变存储器的阻变机制模型简介 | 第17-22页 |
| 1.7.1 导电通道模型 | 第17-18页 |
| 1.7.2 空间电荷限制电流效应模型 | 第18-20页 |
| 1.7.3 缺陷能级的电荷俘获和释放模型 | 第20-21页 |
| 1.7.4 普尔-法兰克效应模型 | 第21-22页 |
| 1.7.5 电极限制效应模型 | 第22页 |
| 1.8 本论文研究的目的和内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-29页 |
| 第二章 阻变单元器件制备与表征 | 第29-40页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第29-33页 |
| 2.1.1 薄膜制备工艺简介 | 第29-31页 |
| 2.1.2 激光分子束外延法 | 第31-32页 |
| 2.1.3 磁控溅射法 | 第32-33页 |
| 2.2 薄膜的表征 | 第33-36页 |
| 2.2.1 薄膜的结晶形态 | 第33-34页 |
| 2.2.2 薄膜的厚度和表面形貌 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 第三章 Ga_2O_3/NiO阻变存储特性的研究 | 第40-52页 |
| 3.1 氧化镓材料的介绍和生长 | 第40-41页 |
| 3.2 氧化镍薄膜的介绍和生长 | 第41-42页 |
| 3.3 Au/Ti/GaO_x/NiO_x/ITO阻变元器件的制备 | 第42-44页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第44-49页 |
| 3.4.1 Au/Ti/GaO_x/NiO_x/ITO阻变元器件的电学性质 | 第44-46页 |
| 3.4.2 Au/Ti/GaO_x/NiO_x/ITO器件导电机制的研究 | 第46-47页 |
| 3.4.3 Au/Ti/GaO_x/NiO_x/ITO器件“读写擦”及其耐疲劳特性的研究 | 第47-48页 |
| 3.4.4 Au/Ti/GaO_x/NiO_x/ITO器件导电机制模型图的研究 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文 | 第55页 |
