| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 引言 | 第17-21页 |
| 1.2 微测辐射热计红外焦平面阵列的国内外研究现状和发展趋势 | 第21-29页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第21-25页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第25-27页 |
| 1.2.3 非制冷红外焦平面阵列的发展趋势 | 第27-29页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第29-31页 |
| 2 应用硅锗/硅多量子阱材料的非制冷红外焦平面阵列像元设计 | 第31-55页 |
| 2.1 红外共振吸收腔设计 | 第31-36页 |
| 2.2 自支撑微桥热学设计 | 第36-41页 |
| 2.3 自支撑微桥的机械特性 | 第41-47页 |
| 2.3.1 自支撑微桥静态结构分析 | 第41-46页 |
| 2.3.2 自支撑微桥振动分析 | 第46-47页 |
| 2.4 自支撑微桥制备工艺流程设计及难点分析 | 第47-53页 |
| 2.4.1 自支撑微桥制备工艺流程设计 | 第47-51页 |
| 2.4.2 自支撑微桥制备工艺难点分析 | 第51-53页 |
| 2.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 3 微米级黏性键合工艺研究 | 第55-73页 |
| 3.1 工艺需求分析及键合胶选型 | 第55-57页 |
| 3.2 工艺设备选择及探索实验参数 | 第57-59页 |
| 3.3 PDAP胶键合缺陷归类及成因分析 | 第59-63页 |
| 3.4 PDAP胶黏性键合缺陷影响因素分析及工艺参数优化 | 第63-70页 |
| 3.5 PDAP胶键合强度测试及优化 | 第70-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 4 自支撑微桥阵列制备工艺的应力影响研究 | 第73-93页 |
| 4.1 低应力晶圆快速减薄 | 第73-79页 |
| 4.1.1 晶圆减薄方法对比分析 | 第73-75页 |
| 4.1.2 晶圆快速减薄方法研究 | 第75-78页 |
| 4.1.3 晶圆快速减薄中的应力控制 | 第78-79页 |
| 4.2 氮化硅-钛-氮化硅悬臂梁应力控制 | 第79-85页 |
| 4.3 胶基底高精度接触式光刻 | 第85-91页 |
| 4.3.1 接触式光刻工艺基础 | 第85-87页 |
| 4.3.2 胶基底高精度光刻对准标记设计 | 第87-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 5 自支撑微桥阵列构建通用工艺研究 | 第93-109页 |
| 5.1 微小尺寸电极互联 | 第93-97页 |
| 5.2 金属薄膜低温沉积及图形化工艺 | 第97-103页 |
| 5.2.1 低温磁控溅射 | 第97-100页 |
| 5.2.2 lift-off工艺 | 第100-102页 |
| 5.2.3 IBE刻蚀 | 第102-103页 |
| 5.3 非金属薄膜刻蚀工艺 | 第103-107页 |
| 5.3.1 RIE与ICP刻蚀 | 第103-106页 |
| 5.3.2 等离子体去胶工艺 | 第106-107页 |
| 5.4 本章小结 | 第107-109页 |
| 6 阵列制备及测试 | 第109-123页 |
| 6.1 阵列制备 | 第109-112页 |
| 6.2 阵列结构SEM检测 | 第112-116页 |
| 6.3 阵列红外吸收及电学性能测试 | 第116-121页 |
| 6.3.1 阵列芯片的红外吸收率测试 | 第116-117页 |
| 6.3.2 像元TCR测试 | 第117-118页 |
| 6.3.3 像元热响应测试 | 第118-121页 |
| 6.4 阵列芯片指标 | 第121页 |
| 6.5 本章小结 | 第121-123页 |
| 7 总结与展望 | 第123-126页 |
| 7.1 研究工作总结及创新点 | 第123-125页 |
| 7.2 未来工作展望 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-138页 |
| 附录 | 第138页 |
