摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-15页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-10页 |
1.1.1 课题背景与来源 | 第8-10页 |
1.1.2 课题研究的目的和意义 | 第10页 |
1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
1.2.1 硅纳米薄膜的研究现状 | 第10-12页 |
1.2.2 石墨烯的研究现状 | 第12-13页 |
1.3 本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
第2章 分子动力学模拟 | 第15-27页 |
2.1 引言 | 第15页 |
2.2 分子动力学 | 第15-26页 |
2.2.1 分子动力学计算的基本原理 | 第15-16页 |
2.2.2 分子动力学运动方程的数值求解 | 第16-19页 |
2.2.3 分子动力学原胞与边界条件 | 第19-21页 |
2.2.4 积分步程的选取 | 第21页 |
2.2.5 势函数 | 第21-23页 |
2.2.6 控制技术 | 第23-25页 |
2.2.7 分子动力学模拟的基本步骤 | 第25-26页 |
2.3 本章小结 | 第26-27页 |
第3章 硅纳米薄膜及其复合材料的力学性能 | 第27-38页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 建立模型 | 第27-31页 |
3.3 石墨烯增强硅纳米薄膜力学性能 | 第31-37页 |
3.3.1 石墨烯在[110]晶格方向上增强硅纳米薄膜力学性能 | 第31-34页 |
3.3.2 石墨烯在[112]晶格方向上增强硅纳米薄膜力学性能 | 第34-36页 |
3.3.3 石墨烯在[111]晶格方向上增强硅纳米薄膜力学性能 | 第36-37页 |
3.4 本章小结 | 第37-38页 |
第4章 硅纳米薄膜及其复合材料力学性能影响因素 | 第38-58页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 硅纳米薄膜[110]经典晶格方向 | 第38-46页 |
4.2.1 薄膜厚度因素 | 第38-40页 |
4.2.2 模拟温度因素 | 第40-43页 |
4.2.3 应变率因素 | 第43-46页 |
4.3 硅纳米薄膜[112]经典晶格方向 | 第46-51页 |
4.3.1 薄膜厚度因素 | 第46-48页 |
4.3.2 模拟温度因素 | 第48-49页 |
4.3.3 应变率因素 | 第49-51页 |
4.4 硅纳米薄膜[111]经典晶格方向 | 第51-57页 |
4.4.1 薄膜厚度因素 | 第51-53页 |
4.4.2 模拟温度因素 | 第53-55页 |
4.4.3 应变率因素 | 第55-57页 |
4.5 本章小结 | 第57-58页 |
结论 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-66页 |
致谢 | 第66页 |