| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 研究背景及其意义 | 第10-11页 |
| 1.2 聚酰亚胺及其复合材料的研究进展 | 第11-18页 |
| 1.2.1 有机-无机纳米复合材料 | 第11-15页 |
| 1.2.2 聚酰亚胺基纳米复合材料 | 第15-18页 |
| 1.3 聚酰亚胺碳化方面研究进展 | 第18-21页 |
| 1.4 聚酰亚胺的催化碳化研究 | 第21-22页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第24-31页 |
| 2.1 实验所需药品和材料 | 第24页 |
| 2.2 实验所用仪器设备 | 第24-25页 |
| 2.3 材料的制备 | 第25-28页 |
| 2.3.1 聚酰亚胺树脂的的制备 | 第25-27页 |
| 2.3.2 SiC/PI复合薄膜的制备 | 第27页 |
| 2.3.3 SiC纳米粉体的氨基硅烷化改性处理 | 第27-28页 |
| 2.3.4 改性SiC/PI复合薄膜的制备 | 第28页 |
| 2.4 实验所用的表征手段 | 第28-31页 |
| 2.4.1 傅里叶红外光谱分析（FTIR） | 第28页 |
| 2.4.2 X射线衍射分析（XRD） | 第28-29页 |
| 2.4.3 扫描电子显微分析（SEM） | 第29页 |
| 2.4.4 透射电子显微分析（TEM） | 第29页 |
| 2.4.5 热失重分析（TG） | 第29页 |
| 2.4.6 力学性能测试分析 | 第29-30页 |
| 2.4.7 Zeta电位分析 | 第30-31页 |
| 第3章 SiC/PI复合薄膜的性能研究 | 第31-45页 |
| 3.1 SiC/PI复合薄膜的结构与形貌表征 | 第31-35页 |
| 3.1.1 SiC/PI的FTIR分析 | 第31-32页 |
| 3.1.2 SiC/PI的XRD分析 | 第32-33页 |
| 3.1.3 SiC/PI 的SEM分析 | 第33-34页 |
| 3.1.4 SiC/PI 的TEM分析 | 第34-35页 |
| 3.2 SiC/PI 复合薄膜的性能研究 | 第35-43页 |
| 3.2.1 SiC/PI 复合薄膜的热性能研究 | 第35-37页 |
| 3.2.2 SiC/PI 复合薄膜的力学性能研究 | 第37-40页 |
| 3.2.3 SiC/PI 复合薄膜的破坏机理分析 | 第40-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 硅烷化改性 SiC/PI 复合薄膜的性能研究 | 第45-60页 |
| 4.1 氨基硅烷化改性SiC纳米粉体的结构表征 | 第45-50页 |
| 4.1.1 硅烷偶联剂的偶联机理 | 第45-47页 |
| 4.1.2 改性前后SiC粉体SEM分析 | 第47页 |
| 4.1.3 改性前后SiC粉体的FTIR分析 | 第47-48页 |
| 4.1.4 改性前后SiC粉体的XRD分析 | 第48页 |
| 4.1.5 改性前后SiC粉体的Zeta电位分析 | 第48-50页 |
| 4.2 改性SiC/PI 复合薄膜的结构形貌表征 | 第50-54页 |
| 4.2.1 改性SiC/PI 的FTIR分析 | 第50-51页 |
| 4.2.2 改性SiC/PI 的XRD分析 | 第51-52页 |
| 4.2.3 改性SiC/PI 的SEM分析 | 第52-53页 |
| 4.2.4 改性SiC/PI 的TEM分析 | 第53-54页 |
| 4.3 改性SiC/PI 复合薄膜的性能研究 | 第54-58页 |
| 4.3.1 改性SiC/PI 复合薄膜的热性能研究 | 第54-55页 |
| 4.3.2 改性SiC/PI 复合薄膜的力学性能研究 | 第55-57页 |
| 4.3.3 改性SiC/PI 复合薄膜的破坏机理分析 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 PI及改性SiC/PI复合薄膜的碳化研究 | 第60-72页 |
| 5.1 PI及SiC/PI的热稳定分析 | 第60-61页 |
| 5.2 PI及SiC/PI的碳化过程研究 | 第61-64页 |
| 5.2.1 PI及SiC/PI复合薄膜的碳化 | 第61页 |
| 5.2.2 碳化过程中薄膜的XRD分析 | 第61-63页 |
| 5.2.3 碳化过程中薄膜的FTIR分析 | 第63页 |
| 5.2.4 碳化过程中薄膜的元素变化分析 | 第63-64页 |
| 5.3 SiC/PI 复合薄膜的碳化过程中的诱导催化研究 | 第64-71页 |
| 5.3.1 不同SiC含量的复合薄膜的碳化收率 | 第64-65页 |
| 5.3.2 不同SiC含量的复合膜碳化过程中XRD分析 | 第65-67页 |
| 5.3.3 不同SiC含量的复合薄膜高温碳化过程的XRD分析 | 第67-68页 |
| 5.3.4 不同SiC含量的复合薄膜高温碳化处理的截面形貌分析 | 第68-69页 |
| 5.3.5 SiC在碳化过程中的诱导催化机理 | 第69-70页 |
| 5.3.6 不同SiC含量的复合膜碳化过程中断口扫描 (SEM分析) | 第70-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
