基于金属氧化物的物理瞬态阻变存储器件研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 瞬态器件简介 | 第16-17页 |
| 1.3 新型存储器件简介 | 第17-21页 |
| 1.3.1 铁电存储器 | 第17-18页 |
| 1.3.2 相变存储器 | 第18-19页 |
| 1.3.3 磁阻存储器 | 第19页 |
| 1.3.4 阻变存储器 | 第19-21页 |
| 1.4 论文的难点与主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 阻变存储器概述 | 第23-37页 |
| 2.1 阻变器件结构 | 第23-26页 |
| 2.1.1 垂直结构 | 第23-24页 |
| 2.1.2 通孔结构 | 第24页 |
| 2.1.3 平面结构 | 第24-25页 |
| 2.1.4 交叉集成结构 | 第25-26页 |
| 2.2 阻变介质材料 | 第26-28页 |
| 2.2.1 二元氧化物材料 | 第26-27页 |
| 2.2.2 复杂氧化物材料 | 第27页 |
| 2.2.3 固态电解质材料 | 第27-28页 |
| 2.2.4 有机材料 | 第28页 |
| 2.3 阻变器件存储机理 | 第28-33页 |
| 2.3.1 界面效应理论 | 第28-29页 |
| 2.3.2 导电细丝理论 | 第29-33页 |
| 2.4 阻变导电机制 | 第33-34页 |
| 2.4.1 P-F发射机制 | 第33-34页 |
| 2.4.2 SCLC机制 | 第34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-37页 |
| 第三章 基于MgO的瞬态阻变器件 | 第37-53页 |
| 3.1 制备工艺 | 第37-40页 |
| 3.1.1 PVD薄膜沉积技术 | 第37-38页 |
| 3.1.2 蚕丝蛋白薄膜制备 | 第38-39页 |
| 3.1.3 瞬态阻变器件制备流程 | 第39-40页 |
| 3.2 性能参数 | 第40-43页 |
| 3.3 电学特性 | 第43-47页 |
| 3.3.1 电流电压特性 | 第43-44页 |
| 3.3.2 耐受性 | 第44-45页 |
| 3.3.3 均一性 | 第45-46页 |
| 3.3.4 数据保持特性 | 第46-47页 |
| 3.4 阻变机理分析 | 第47-49页 |
| 3.5 可降解性能 | 第49-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 基于ZnO的瞬态阻变器件 | 第53-63页 |
| 4.1 瞬态阻变器件制备流程 | 第53-54页 |
| 4.2 电学特性 | 第54-57页 |
| 4.2.1 电流电压特性 | 第54-55页 |
| 4.2.2 耐受性 | 第55页 |
| 4.2.3 均一性 | 第55-56页 |
| 4.2.4 数据保持特性 | 第56-57页 |
| 4.3 阻变机理分析 | 第57-59页 |
| 4.4 可降解性能 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-67页 |
| 5.1 总结 | 第63-64页 |
| 5.2 工作展望 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
