| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 课题背景 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究情况 | 第17-18页 |
| 1.3 章节安排 | 第18-21页 |
| 第二章 可测性设计与存储器理论 | 第21-33页 |
| 2.1 存储器结构模型 | 第22-24页 |
| 2.2 存储器故障模型 | 第24-28页 |
| 2.2.1 固定故障 | 第25-26页 |
| 2.2.2 转换故障 | 第26页 |
| 2.2.3 耦合故障 | 第26-27页 |
| 2.2.4 地址解码器故障 | 第27-28页 |
| 2.3 存储器内建自测试技术 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 Tessent MBIST及其优化方向 | 第33-47页 |
| 3.1 MBIST工具 | 第33-36页 |
| 3.1.1 MBIST Architect | 第33-34页 |
| 3.1.2 Tessent MBIST | 第34-35页 |
| 3.1.3 Tessent MBIST与MBIST Architect对比 | 第35-36页 |
| 3.2 Tessent MBIST工作流程 | 第36-42页 |
| 3.2.1 ETChecker | 第38页 |
| 3.2.2 ETPlanner | 第38-40页 |
| 3.2.3 ETAssemble | 第40-41页 |
| 3.2.4 ETSignOff | 第41-42页 |
| 3.3 Tessent MBIST的优化方向—parallel flow | 第42-46页 |
| 3.3.1 传统设计验证流程—insertion flow | 第42-44页 |
| 3.3.2 改进的设计验证流程—parallel flow | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 Tessent MBIST的设计与验证 | 第47-79页 |
| 4.1 嵌入式存储器设计 | 第47-48页 |
| 4.2 Tessent MBIST电路设计 | 第48-59页 |
| 4.2.1 层电路 | 第50-51页 |
| 4.2.2 MBIST控制器电路 | 第51-59页 |
| 4.3 Tessent MBIST电路生成 | 第59-65页 |
| 4.3.1 存储器模型定义 | 第59-60页 |
| 4.3.2 算法文件的定义 | 第60-61页 |
| 4.3.3 MBIST电路生成 | 第61-65页 |
| 4.4 仿真实现 | 第65-77页 |
| 4.4.1 HAMMER算法的仿真 | 第68-71页 |
| 4.4.2 多算法的仿真 | 第71-73页 |
| 4.4.3 ROM MBIST的仿真 | 第73-75页 |
| 4.4.4 两种流程的对比 | 第75-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 5.1 研究结论 | 第79页 |
| 5.2 研究展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
