| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 硅基应变技术的发展 | 第16-20页 |
| 1.3 应变SOI的国内外动态 | 第20-23页 |
| 1.4 本文的工作安排 | 第23-26页 |
| 第二章 硅基应变技术与弹塑性力学理论 | 第26-38页 |
| 2.1 应力引入技术 | 第26-30页 |
| 2.1.1 双轴应力引入技术与特点 | 第26-28页 |
| 2.1.2 单轴应力引入技术与特点 | 第28-30页 |
| 2.2 弹性力学理论基础 | 第30-34页 |
| 2.2.1 外力和内力 | 第30-31页 |
| 2.2.2 应力张量 | 第31-32页 |
| 2.2.3 应变张量 | 第32-33页 |
| 2.2.4 广义胡克定律 | 第33-34页 |
| 2.3 塑性力学基本理论 | 第34-36页 |
| 2.3.1 材料性质的基本假设 | 第34页 |
| 2.3.2 应力屈服条件 | 第34-35页 |
| 2.3.3 材料的拉伸曲线 | 第35-36页 |
| 2.4 小结 | 第36-38页 |
| 第三章 SOI材料的力学与热学特性研究 | 第38-64页 |
| 3.1 SOI材料力学与热学特性 | 第38-43页 |
| 3.1.1 硅材料特性 | 第38-42页 |
| 3.1.2 二氧化硅材料特性 | 第42-43页 |
| 3.2 SOI材料的纳米压痕力学测试实验 | 第43-53页 |
| 3.2.1 纳米压痕测试原理 | 第43-46页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第46-48页 |
| 3.2.3 硅晶圆纳米压痕实验 | 第48-49页 |
| 3.2.4 SOI晶圆纳米压痕实验 | 第49-51页 |
| 3.2.5 氧化片纳米压痕实验 | 第51-53页 |
| 3.3 硅单晶薄膜与二氧化硅薄膜屈服特性分析 | 第53-62页 |
| 3.3.1 材料模型 | 第54页 |
| 3.3.2 有限元模型 | 第54-58页 |
| 3.3.3 硅材料屈服强度的计算 | 第58-62页 |
| 3.4 小结 | 第62-64页 |
| 第四章 应变SOI的应变机理与应力模型 | 第64-86页 |
| 4.1 弹性力学的梁弯曲理论 | 第64-67页 |
| 4.1.1 弯曲基本理论 | 第64-65页 |
| 4.1.2 纯弯曲与基本静力关系 | 第65-67页 |
| 4.2 晶圆级应变SOI应变机理 | 第67-75页 |
| 4.2.1 氮化硅薄膜应力产生机理 | 第68-69页 |
| 4.2.2 应变SOI应力引入机理 | 第69-70页 |
| 4.2.3 SOI的弯曲 | 第70-71页 |
| 4.2.4 应变SOI应力保持机理 | 第71-72页 |
| 4.2.5 应变机理的实验验证 | 第72-75页 |
| 4.3 高应力氮化硅致硅晶圆应力模型 | 第75-78页 |
| 4.3.1 应力模型 | 第75-77页 |
| 4.3.2 高应力氮化硅薄膜淀积实验 | 第77-78页 |
| 4.4 高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI应力模型 | 第78-85页 |
| 4.4.1 模型的建立 | 第78-80页 |
| 4.4.2 应力模型验证 | 第80-84页 |
| 4.4.3 模型分析 | 第84-85页 |
| 4.5 小结 | 第85-86页 |
| 第五章 总结 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 作者简介 | 第96-97页 |