| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 本文研究背景与意义 | 第16页 |
| 1.2 4H-SiC MESFET研究现状 | 第16-21页 |
| 1.3 本文主要创新点与章节安排 | 第21-24页 |
| 第二章 沟道内不同区域杂质浓度与器件性能相关性研究 | 第24-48页 |
| 2.1 数值模拟工具ISE-TCAD及其物理模型 | 第24-25页 |
| 2.2 ADS与功率晶体管主要能效考量参数 | 第25-26页 |
| 2.3 4H-SiC MESFET的工作原理 | 第26-28页 |
| 2.3.1 传统 4H-SiC MESFET结构与工作原理 | 第26-28页 |
| 2.3.2 双凹陷高低栅 4H-SiC MESFET结构及其特性 | 第28页 |
| 2.4 沟道内不同区域杂质浓度与器件性能相关性研究 | 第28-47页 |
| 2.4.1 Ⅰ区 | 第29-34页 |
| 2.4.2 Ⅱ区 | 第34-38页 |
| 2.4.3 Ⅲ区 | 第38-43页 |
| 2.4.4 Ⅳ区 | 第43-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 具有局部沟道重掺杂区的 4H-SiC MESFET设计 | 第48-60页 |
| 3.1 HD-MESFET结构 | 第48-50页 |
| 3.2 直流特性分析 | 第50-52页 |
| 3.3 交流特性分析 | 第52-54页 |
| 3.4 重掺杂区域(X)杂质浓度的优化 | 第54-55页 |
| 3.5 功率附加效率验证 | 第55-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-60页 |
| 第四章 具有局部缓冲层重掺杂区 4H-SiC MESFET新型器件设计 | 第60-70页 |
| 4.1 器件结构 | 第60-62页 |
| 4.2 直流特性分析 | 第62-65页 |
| 4.3 交流特性分析 | 第65-66页 |
| 4.4 X区域掺杂浓度对器件性能的影响 | 第66-67页 |
| 4.5 新器件能效验证 | 第67-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-74页 |
| 5.1 结论 | 第70-71页 |
| 5.2 研究展望 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-82页 |
