| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-21页 |
| 1. 植物体内Cd的吸收和转运途径 | 第9-14页 |
| 1.1 外部条件对根吸收Cd~(2+)的影响 | 第10页 |
| 1.2 Cd~(2+)进入根表皮层的途径 | 第10页 |
| 1.3 Cd~(2+)进入根木质部的途径 | 第10-12页 |
| 1.4 植物体内Cd~(2+)的转运与沉积 | 第12-14页 |
| 2. 植物抗镉性的细胞学基础 | 第14-17页 |
| 2.1 植物根系内部组织对镉胁迫的响应 | 第14-16页 |
| 2.2 植物根系形态结构在镉胁迫下的变化 | 第16-17页 |
| 3. 镉转运的基因调控机制 | 第17-20页 |
| 4. 本研究课题的提出 | 第20-21页 |
| 第二章 镉胁迫处理对玉米幼苗生长的效应及镉在根内的沉积 | 第21-32页 |
| 1. 引言 | 第21页 |
| 2. 材料与方法 | 第21-24页 |
| 2.1 材料 | 第21-22页 |
| 2.2 镉(CdCl_2)胁迫处理 | 第22-23页 |
| 2.3 生物量指标测定 | 第23页 |
| 2.4 根和地上部分中Cd含量测定 | 第23-24页 |
| 2.5 根部切片染色与观察 | 第24页 |
| 2.6 数据分析 | 第24页 |
| 3. 结果 | 第24-29页 |
| 3.1 不同浓度Cd~(2+)对玉米幼苗生物量的影响 | 第24-25页 |
| 3.2 Cd的吸收和转运 | 第25-27页 |
| 3.3 根的发育结构和根中Cd~(2+)沉积位置的解剖观察 | 第27-29页 |
| 4. 讨论 | 第29-32页 |
| 4.1 不同Cd浓度对玉米幼苗的影响 | 第29-30页 |
| 4.2 Cd在根中的沉积位置 | 第30-32页 |
| 第三章 硅对玉米幼苗镉胁迫的缓解作用 | 第32-43页 |
| 1. 引言 | 第32页 |
| 2. 材料与方法 | 第32-35页 |
| 2.1 材料 | 第32-33页 |
| 2.2 硅(Si)、镉(Cd)处理 | 第33-34页 |
| 2.3 生物量指标测定 | 第34页 |
| 2.4 根和地上部分镉含量测定 | 第34页 |
| 2.5 数据分析 | 第34-35页 |
| 3. 结果 | 第35-40页 |
| 3.1 硅处理对镉胁迫下生长参数的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 镉的富集 | 第37-40页 |
| 4. 讨论 | 第40-43页 |
| 4.1 Si、Cd对植物的影响 | 第40-41页 |
| 4.2 Si缓解Cd毒性的机理 | 第41-43页 |
| 第四章 结论与展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-58页 |
| 硕士期间发表的学术论文和项目资助 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
