标准CMOS工艺下面向超高频电子标签芯片的非易失存储器研究与实现
| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 主要工作内容与创新点 | 第14页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第14-16页 |
| 第二章 超高频电子标签芯片中非易失存储器系统设计 | 第16-24页 |
| 2.1 超高频电子标签芯片系统结构 | 第16-18页 |
| 2.2 非易失存储器指标分析 | 第18-20页 |
| 2.3 非易失存储器系统设计 | 第20-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 标准CMOS工艺非易失存储器内核设计 | 第24-38页 |
| 3.1 存储单元设计 | 第24-34页 |
| 3.1.1 存储单元原理分析 | 第24-27页 |
| 3.1.2 存储单元结构设计 | 第27-28页 |
| 3.1.3 TCAD建模仿真分析 | 第28-33页 |
| 3.1.4 存储单元设计总结 | 第33-34页 |
| 3.2 存储阵列设计 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 标准CMOS工艺非易失存器外围电路设计 | 第38-61页 |
| 4.1 控制电路 | 第38-41页 |
| 4.2 地址译码器 | 第41-43页 |
| 4.2.1 行译码器设计 | 第41-42页 |
| 4.2.2 列译码器设计 | 第42-43页 |
| 4.3 电荷泵 | 第43页 |
| 4.4 电压切换模块 | 第43-53页 |
| 4.4.1 行电压切换模块 | 第44-51页 |
| 4.4.2 列电压切换模块 | 第51-53页 |
| 4.5 灵敏放大器 | 第53-55页 |
| 4.6 仿真与分析 | 第55-58页 |
| 4.7 本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 流片实现与测试 | 第61-70页 |
| 5.1 流片实现 | 第61-62页 |
| 5.2 测试方案 | 第62-65页 |
| 5.2.1 存储器测试方案 | 第62-64页 |
| 5.2.2 存储单元测试方案 | 第64-65页 |
| 5.3 测试与分析 | 第65-69页 |
| 5.4 小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第78页 |
