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界面构形对分子器件电子输运性质的影响

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第7-17页
    1.1 介观体系与介观量子输运第8-9页
    1.2 分子电子学第9-12页
        1.2.1 分子导体的发展第9-10页
        1.2.2 分子导体的实验及理论方法第10-12页
    1.3 分子自旋电子学第12-14页
    1.4 本论文的意义与内容第14-17页
第二章 理论计算方法第17-45页
    2.1 密度泛函理论第17-29页
        2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似第18-20页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第20-21页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第21-24页
        2.1.4 基组的种类第24-25页
        2.1.5 交换关联势第25-26页
        2.1.6 赝势方法第26-28页
        2.1.7 电子结构计算的一般过程第28-29页
    2.2 格林函数(Green's Functions)法第29-34页
        2.2.1 平衡格林函数第30-31页
        2.2.2 非平衡格林函数方法第31-34页
    2.3 分子导电结输运性质的计算第34-45页
        2.3.1 著名的Landauer-Buttiker公式第34-35页
        2.3.2 量子点中的电流公式第35-38页
        2.3.3 电子输运计算方法第38-43页
        2.3.4 相关输运软件介绍第43-45页
第三章 电极表面重构对分子器件电子输运性质的影响第45-55页
    3.1 研究背景第45-46页
    3.2 计算方法与模型第46-48页
    3.3 结果与讨论第48-53页
        3.3.1 电流-电压曲线及透射谱第48-49页
        3.3.2 分子器件中及吸附结构中分子的PDOS第49-52页
        3.3.3 偏压下透射谱的讨论第52-53页
    3.4 本章小结第53-55页
第四章 电极表面吸附团簇对分子器件自旋极化输运性质的影响第55-65页
    4.1 研究背景第55-56页
    4.2 计算方法与模型第56-58页
    4.3 结果与讨论第58-64页
        4.3.1 电流-电压曲线第58-60页
        4.3.2 零偏压下的透射谱及电导第60-61页
        4.3.3 输运计算中零偏压下PDOS分析第61-64页
    4.4 本章小结第64-65页
第五章 总结与展望第65-67页
    5.1 总结第65-66页
    5.2 展望第66-67页
参考文献第67-75页
致谢第75-77页
攻读硕士学位期间的科研成果第77页

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