| 摘要 | 第9-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 符号表 | 第19-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-44页 |
| §1-1 GaN基电子器件研究背景及意义 | 第20-24页 |
| §1-2 GaN基半导体材料及器件的发展 | 第24-32页 |
| 1-2-1 GaN基半导体材料的发展历史 | 第24-26页 |
| 1-2-2 国内外GaN器件的发展历程 | 第26-32页 |
| §1-3 极化效应 | 第32-35页 |
| §1-4 本论文的研究内容及安排 | 第35-38页 |
| 参考文献 | 第38-44页 |
| 第二章 器件制备与测试 | 第44-62页 |
| §2-1 GaN基异质结材料外延生长工艺 | 第44-50页 |
| 2-1-1 衬底材料 | 第44-47页 |
| 2-1-2 异质结的外延生长技术 | 第47-50页 |
| §2-2 GaN基异质结场效应晶体管器件工艺 | 第50-53页 |
| 2-2-1 图形曝光与光刻工艺 | 第51页 |
| 2-2-2 器件隔离工艺 | 第51-52页 |
| 2-2-3 钝化工艺 | 第52页 |
| 2-2-4 欧姆接触工艺 | 第52-53页 |
| 2-2-5 肖特基接触工艺 | 第53页 |
| §2-3 GaN基异质结材料与器件的测试 | 第53-58页 |
| 2-3-1 霍尔测试 | 第54页 |
| 2-3-2 电学特性测试 | 第54-55页 |
| 2-3-3 电子能谱测试(SEM-EDS) | 第55页 |
| 2-3-4 原子力显微镜(AFM) | 第55-57页 |
| 2-3-5 微区拉曼光谱测试(Micro-Raman) | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 第三章 确定GaN基异质结场效应晶体管栅下势垒层应变方法的研究 | 第62-78页 |
| §3-1 一种确定GaN基HFETs器件栅下势垒层应变的方法 | 第63-67页 |
| 3-1-1 确定AlGaN/GaN HFETs器件栅下势垒层应变的方法 | 第63-65页 |
| 3-1-2 确定AlGaN/AlN/GaN HFETs器件栅下势垒层应变的方法 | 第65-67页 |
| §3-2 常规欧姆接触AlGaN/AlN/GaN HFETs器件栅下势垒层应变 | 第67-71页 |
| §3-3 边欧姆接触AlGaN/AlN/GaN HFETs器件栅下势垒层应变 | 第71-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第四章 栅极快速热退火对AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管器件性能影响的研究 | 第78-96页 |
| §4-1 Ti/Al/Ni/Au栅金属快速热退火对AlGaN/AlN/GaN HFETs器件性能的影响 | 第78-86页 |
| §4-2 Ni/Au栅金属快速热退火对AlGaN/AlN/GaN HFETs器件电学性能的影响 | 第86-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第五章 栅金属及栅结构对AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管器件性能影响的研究 | 第96-118页 |
| §5-1 栅金属厚度对AlGaN/AlN/GaN HFETs器件电学性能及应变的影响 | 第96-100页 |
| §5-2 不同栅金属对AlGaN/AlN/GaN HFETs器件电学性能及应变的影响 | 第100-104页 |
| §5-3 浮栅对于AlGaN/AlN/GaN HFETs器件电学性能及应变的影响 | 第104-110页 |
| §5-4 分裂栅对于AlGaN/AlN/GaN HFETs器件电学性能及应变的影响 | 第110-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第六章 AlN/GaN材料盖帽层结构及器件边欧姆接触工艺的研究 | 第118-132页 |
| §6-1 GaN盖帽层厚度对AlN/GaN异质结材料性能的影响 | 第119-124页 |
| §6-2 边欧姆接触工艺对于AlN/GaN HFETs器件中极化库仑场散射的影响 | 第124-130页 |
| 参考文献 | 第130-132页 |
| 第七章 结论 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 攻读博±学位期间的研究成果 | 第136-140页 |
| Paper 1 | 第140-144页 |
| Paper 2 | 第144-152页 |
| 学位论文评河及答辩情况表 | 第152页 |
