| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 VD-MOSFET简介 | 第9页 |
| 1.2 VD-MOSFET导通电阻模型的研究意义 | 第9-10页 |
| 1.3 VD-MOSFET导通电阻的研究现状 | 第10-15页 |
| 1.4 本文所做的工作 | 第15-17页 |
| 第2章 VD-MOSFET的器件特性以及模型的研究方法 | 第17-24页 |
| 2.1 VD-MOSFET器件的元胞结构介绍 | 第17-18页 |
| 2.2 VD-MOSFET器件的特性 | 第18-19页 |
| 2.3 VD-MOSFET器件的导通电阻 | 第19-21页 |
| 2.3.1 源接触电阻 | 第20页 |
| 2.3.2 源区电阻 | 第20页 |
| 2.3.3 沟道区电阻 | 第20页 |
| 2.3.4 积累层电阻 | 第20-21页 |
| 2.3.5 JFET区电阻 | 第21页 |
| 2.3.6 漂移区电阻 | 第21页 |
| 2.3.7 N~+衬底电阻 | 第21页 |
| 2.3.8 漏接触电阻 | 第21页 |
| 2.4 导通电阻的建模方法 | 第21-24页 |
| 2.4.1 解析计算方法 | 第22页 |
| 2.4.2 数值计算方法 | 第22-23页 |
| 2.4.3 半解析法 | 第23-24页 |
| 第3章 基于半解析法的二维VD-MOSFET寄生导通电阻的建模 | 第24-45页 |
| 3.1 VD-MOSFET寄生导通电阻的二维模型 | 第24-27页 |
| 3.2 VD-MOSFET模型二维电势的分区求解 | 第27-36页 |
| 3.2.1 Ⅰ区定界问题求解 | 第27-29页 |
| 3.2.2 Ⅱ区定界问题求解 | 第29-32页 |
| 3.2.3 Ⅲ区定界问题求解 | 第32-34页 |
| 3.2.4 Ⅳ区定界问题求解 | 第34-36页 |
| 3.3 二维模型衔接处的方程求解 | 第36-41页 |
| 3.4 VD-MOSFET模型二维电势解的方程组 | 第41-42页 |
| 3.5 VD-MOSFET模型寄生导通电阻的求解 | 第42-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 VD-MOSFET模型的二维电势分布和寄生导通电阻的验证与分析 | 第45-62页 |
| 4.1 VD-MOSFET模型二维电势分布的验证与分析 | 第45-50页 |
| 4.2 寄生导通电阻的计算与分析 | 第50-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第69页 |
| 参与的科研项目 | 第69页 |
