| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第12-13页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 ESD防护理论基础 | 第14-24页 |
| 2.1 ESD防护基本原理 | 第14页 |
| 2.2 ESD物理模型 | 第14-19页 |
| 2.2.1 人体模型HBM | 第14-16页 |
| 2.2.2 机器模型MM | 第16-17页 |
| 2.2.3 组件充电模型CDM | 第17-18页 |
| 2.2.4 TLP测试模型 | 第18-19页 |
| 2.3 ESD测试组合 | 第19-21页 |
| 2.3.1 I/O到VDD（VSS）的静电测试 | 第19页 |
| 2.3.2 I/O到I/O之间的静电测试 | 第19-20页 |
| 2.3.3 电源到地之间的静电测试 | 第20-21页 |
| 2.4 ESD导致的失效类型 | 第21-23页 |
| 2.5 ESD设计窗口 | 第23页 |
| 2.6 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 CMOS工艺下常规ESD防护器件及原理 | 第24-33页 |
| 3.1 二极管 | 第24-26页 |
| 3.2 电阻 | 第26-27页 |
| 3.3 MOSFET | 第27-28页 |
| 3.4 SCR | 第28-32页 |
| 3.4.1 降低SCR触发电压 | 第30-31页 |
| 3.4.2 提高SCR维持电压 | 第31-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 0.6μm CMOS工艺下的ESD保护器件研究 | 第33-53页 |
| 4.1 0.6μm CMOS工艺下MOSFET的ESD特性 | 第33-39页 |
| 4.1.1 RCMOS | 第33-35页 |
| 4.1.2 GGNMOS与GDPMOS | 第35-39页 |
| 4.2 0.6μm CMOS工艺下SCR的设计与优化 | 第39-52页 |
| 4.2.1 常规SCR ESD特性研究 | 第39-40页 |
| 4.2.2 MLSCR ESD特性研究 | 第40-41页 |
| 4.2.3 改进型MLSCR ESD特性研究 | 第41-44页 |
| 4.2.4 LVTSCR ESD特性研究 | 第44-45页 |
| 4.2.5 STSCR ESD特性研究 | 第45-47页 |
| 4.2.6 创新型GCSCR设计 | 第47-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 瞬态电压抑制器（TVS）的研究 | 第53-64页 |
| 5.1 TVS介绍 | 第53-54页 |
| 5.2 TVS及其阵列研究 | 第54-57页 |
| 5.2.1 TVS阵列介绍 | 第55-56页 |
| 5.2.2 TVS特性介绍 | 第56-57页 |
| 5.3 TVS设计 | 第57-63页 |
| 5.3.1 DTSCR1 | 第58-60页 |
| 5.3.2 DTSCR2 | 第60-61页 |
| 5.3.3 SNTSCR | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |
