| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 符号表 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 前言 | 第11-13页 |
| 1.1.1 无机非线性光学晶体简介 | 第11-12页 |
| 1.1.2 KDP晶体的结构和性质 | 第12-13页 |
| 1.2 晶体的生长方法及基本生长过程 | 第13-17页 |
| 1.2.1 晶体生长方法 | 第13-16页 |
| 1.2.2 晶体生长的输运过程 | 第16-17页 |
| 1.3 KDP晶体生长的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3.1 KDP晶体生长过程中存在的问题及实验和理论研究 | 第17-19页 |
| 1.3.2 KDP晶体生长的数值模拟研究 | 第19-20页 |
| 1.4 课题的提出及研究意义 | 第20页 |
| 1.5 课题的主要内容和创新点 | 第20-22页 |
| 1.5.1 课题的主要内容 | 第20-21页 |
| 1.5.2 课题的创新点 | 第21-22页 |
| 2 旋转半径对降温法生长KDP晶体过程影响的数值模拟研究 | 第22-39页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 计算中涉及到的模型及算法 | 第22-24页 |
| 2.2.1 湍流模型和求解器的选择 | 第22-23页 |
| 2.2.2 自定义函数和动网格模型 | 第23-24页 |
| 2.3 物理数学模型及计算方法 | 第24-27页 |
| 2.3.1 计算物理模型 | 第24-25页 |
| 2.3.2 控制方程及边界条件 | 第25-26页 |
| 2.3.3 计算方法 | 第26-27页 |
| 2.4 数值模拟结果及分析 | 第27-36页 |
| 2.4.1 不同旋转半径对KDP晶体生长过程的影响 | 第27-31页 |
| 2.4.2 旋转半径r=3cm时晶体表面过饱和度随时间变化的分布和发展 | 第31-34页 |
| 2.4.3 籽晶不同摆放方式对KDP晶体生长过程的影响 | 第34-36页 |
| 2.5 自然对流和强制对流的讨论 | 第36-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-39页 |
| 3 不同入口条件对循环流动法生长KDP晶体过程影响的数值模拟研究 | 第39-55页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 物理模型 | 第39-41页 |
| 3.2.1 计算物理模型 | 第39-40页 |
| 3.2.2 控制方程及边界条件 | 第40-41页 |
| 3.2.3 计算方法 | 第41页 |
| 3.3 数值模拟结果及分析 | 第41-53页 |
| 3.3.1 入口速度对KDP晶体生长过程的影响 | 第41-45页 |
| 3.3.2 入口位置对KDP晶体生长过程的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.3 溶液入射角度对KDP晶体生长过程的影响 | 第47-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 结论与展望 | 第55-57页 |
| 4.1 课题的主要结论 | 第55-56页 |
| 4.2 课题展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 附录 | 第63-66页 |
| A. 晶体生长源项C程序 | 第63-65页 |
| B. 晶体旋转方式C程序 | 第65-66页 |
| C. 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第66页 |
| D. 作者在攻读学位期间参加的的科研项目 | 第66页 |
