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层状磁电装置的性能优化及构型设计

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-22页
    1.1 层状磁电效应的发展概况第10-12页
    1.2 层状磁电效应的研究现状第12-16页
        1.2.1 层状磁电效应实验研究现状第12-15页
        1.2.2 层状磁电效应理论研究现状第15-16页
    1.3 层状磁电效应的应用前景第16-19页
    1.4 本论文的研究目的及内容第19-22页
        1.4.1 磁场角度对层状磁电效应的影响第19-20页
        1.4.2 环境温度对层状自偏磁电效应的影响第20-21页
        1.4.3 层状磁电效应装置的构型设计第21-22页
第二章 考虑磁场角度的层状磁电效应模型第22-44页
    2.1 层状磁电效应装置第22-24页
        2.1.1 工作结构及工作机理第22-23页
        2.1.2 工作模式分类第23页
        2.1.3 实验方案第23-24页
    2.2 层状磁电效应模型第24-32页
        2.2.1 本构方程及边界条件第24-25页
        2.2.2 等效压磁系数第25-26页
        2.2.3 低频磁电系数第26-28页
        2.2.4 高频磁电系数第28-32页
    2.3 磁场方向对低频磁电效应的影响第32-39页
        2.3.1 磁场方向对模式Scheme-I中低频磁电系数的影响第33-36页
        2.3.2 磁场方向对模式Scheme-II中低频磁电效应的影响第36-39页
    2.4 磁场方向对高频磁电效应的影响第39-42页
    2.5 本章小结第42-44页
第三章 功能梯度型层状自偏磁电效应模型第44-59页
    3.1 层状自偏磁电效应实现方式第44-45页
    3.2 层状自偏磁电效应装置第45-46页
    3.3 层状自偏磁电效应模型第46-52页
        3.3.1 本构方程及边界条件第46-47页
        3.3.2 压磁系数和柔顺系数第47-48页
        3.3.3 磁电电压系数第48-51页
        3.3.4 磁致伸缩层的有效磁场第51-52页
    3.4 理论预测与实验结果的对比第52-54页
    3.5 温度和预应力对自偏磁电效应的影响第54-57页
        3.5.1 温度对自偏磁电效应的影响第54-55页
        3.5.2 预应力对自偏磁电效应的影响第55-56页
        3.5.3 温度和预应力对自偏磁电效应的综合影响第56-57页
    3.6 本章小结第57-59页
第四章 层状磁电效应装置的构型设计及性能探讨第59-72页
    4.1 U型层状磁电效应装置第59-60页
    4.2 U型层状磁电效应模型第60-63页
        4.2.1 本构方程及边界条件第60-62页
        4.2.2 磁电系数第62-63页
    4.3 U型磁电效应装置的性能预测第63-66页
        4.3.1 Terfenol-D和Ni的磁致伸缩应变第63-64页
        4.3.2 Terfenol-D和Ni的压磁系数第64页
        4.3.3 U型磁电效应装置的磁电系数第64-66页
    4.4 U型磁电效应装置的实验测试第66-70页
        4.4.1 U型磁电效应装置试件制备流程第66页
        4.4.2 U型磁电效应装置实验测试系统第66-67页
        4.4.3 U型磁电效应装置实验数据处理方法第67-68页
        4.4.4 U型磁电效应装置性能表现第68-70页
    4.5 U型磁电效应装置的改进措施第70-71页
    4.6 本章小结第71-72页
第五章 总结及展望第72-74页
    5.1 本论文的主要结论第72-73页
    5.2 本论文的不足之处及若干展望第73-74页
附录第74-75页
参考文献第75-90页
在学期间的研究成果第90-91页
致谢第91页

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