摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-22页 |
1.1 层状磁电效应的发展概况 | 第10-12页 |
1.2 层状磁电效应的研究现状 | 第12-16页 |
1.2.1 层状磁电效应实验研究现状 | 第12-15页 |
1.2.2 层状磁电效应理论研究现状 | 第15-16页 |
1.3 层状磁电效应的应用前景 | 第16-19页 |
1.4 本论文的研究目的及内容 | 第19-22页 |
1.4.1 磁场角度对层状磁电效应的影响 | 第19-20页 |
1.4.2 环境温度对层状自偏磁电效应的影响 | 第20-21页 |
1.4.3 层状磁电效应装置的构型设计 | 第21-22页 |
第二章 考虑磁场角度的层状磁电效应模型 | 第22-44页 |
2.1 层状磁电效应装置 | 第22-24页 |
2.1.1 工作结构及工作机理 | 第22-23页 |
2.1.2 工作模式分类 | 第23页 |
2.1.3 实验方案 | 第23-24页 |
2.2 层状磁电效应模型 | 第24-32页 |
2.2.1 本构方程及边界条件 | 第24-25页 |
2.2.2 等效压磁系数 | 第25-26页 |
2.2.3 低频磁电系数 | 第26-28页 |
2.2.4 高频磁电系数 | 第28-32页 |
2.3 磁场方向对低频磁电效应的影响 | 第32-39页 |
2.3.1 磁场方向对模式Scheme-I中低频磁电系数的影响 | 第33-36页 |
2.3.2 磁场方向对模式Scheme-II中低频磁电效应的影响 | 第36-39页 |
2.4 磁场方向对高频磁电效应的影响 | 第39-42页 |
2.5 本章小结 | 第42-44页 |
第三章 功能梯度型层状自偏磁电效应模型 | 第44-59页 |
3.1 层状自偏磁电效应实现方式 | 第44-45页 |
3.2 层状自偏磁电效应装置 | 第45-46页 |
3.3 层状自偏磁电效应模型 | 第46-52页 |
3.3.1 本构方程及边界条件 | 第46-47页 |
3.3.2 压磁系数和柔顺系数 | 第47-48页 |
3.3.3 磁电电压系数 | 第48-51页 |
3.3.4 磁致伸缩层的有效磁场 | 第51-52页 |
3.4 理论预测与实验结果的对比 | 第52-54页 |
3.5 温度和预应力对自偏磁电效应的影响 | 第54-57页 |
3.5.1 温度对自偏磁电效应的影响 | 第54-55页 |
3.5.2 预应力对自偏磁电效应的影响 | 第55-56页 |
3.5.3 温度和预应力对自偏磁电效应的综合影响 | 第56-57页 |
3.6 本章小结 | 第57-59页 |
第四章 层状磁电效应装置的构型设计及性能探讨 | 第59-72页 |
4.1 U型层状磁电效应装置 | 第59-60页 |
4.2 U型层状磁电效应模型 | 第60-63页 |
4.2.1 本构方程及边界条件 | 第60-62页 |
4.2.2 磁电系数 | 第62-63页 |
4.3 U型磁电效应装置的性能预测 | 第63-66页 |
4.3.1 Terfenol-D和Ni的磁致伸缩应变 | 第63-64页 |
4.3.2 Terfenol-D和Ni的压磁系数 | 第64页 |
4.3.3 U型磁电效应装置的磁电系数 | 第64-66页 |
4.4 U型磁电效应装置的实验测试 | 第66-70页 |
4.4.1 U型磁电效应装置试件制备流程 | 第66页 |
4.4.2 U型磁电效应装置实验测试系统 | 第66-67页 |
4.4.3 U型磁电效应装置实验数据处理方法 | 第67-68页 |
4.4.4 U型磁电效应装置性能表现 | 第68-70页 |
4.5 U型磁电效应装置的改进措施 | 第70-71页 |
4.6 本章小结 | 第71-72页 |
第五章 总结及展望 | 第72-74页 |
5.1 本论文的主要结论 | 第72-73页 |
5.2 本论文的不足之处及若干展望 | 第73-74页 |
附录 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-90页 |
在学期间的研究成果 | 第90-91页 |
致谢 | 第91页 |