| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 稀磁半导体的研究概况 | 第8-14页 |
| 1.1.1 稀磁半导体的研究概况 | 第8-10页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的铁磁性起源 | 第10-14页 |
| 1.2 In_2O_3基稀磁半导体 | 第14-23页 |
| 1.2.1 In_2O_3的结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 In_2O_3基稀磁半导体的研究现状 | 第15-23页 |
| 1.3 In_2O_3基稀磁半导体存在的问题 | 第23页 |
| 1.4 本论文的研究目的及研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 样品的制备与表征方法 | 第24-38页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第24-28页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第24页 |
| 2.1.2 磁控溅射的原理 | 第24-25页 |
| 2.1.3 磁控溅射设备简介 | 第25-26页 |
| 2.1.4 薄膜样品的制备材料及过程 | 第26-28页 |
| 2.2 薄膜样品的表征方法 | 第28-32页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第29-30页 |
| 2.2.3 X射线吸收精细结构 | 第30-31页 |
| 2.2.4 电输运性能的测量 | 第31-32页 |
| 2.2.5 磁学性能的测量 | 第32页 |
| 2.2.6 光学性能的测量 | 第32页 |
| 2.3 第一性原理计算理论基础及方法 | 第32-37页 |
| 2.3.1 Born-Oppenheimer近似 | 第33页 |
| 2.3.2 Hartree-Fock单电子近似 | 第33-34页 |
| 2.3.3 密度泛函理论基础(DFT) | 第34-35页 |
| 2.3.4 交换关联泛函 | 第35-36页 |
| 2.3.5 赝势方法 | 第36页 |
| 2.3.6 计算程序简介 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 N掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜的电子结构与性能 | 第38-51页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 实验过程 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-49页 |
| 3.3.1 N掺杂In_2O_3薄膜的X射线衍射分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 N掺杂In_2O_3薄膜的价态分析 | 第40-41页 |
| 3.3.3 N掺杂In_2O_3薄膜的磁性分析 | 第41-42页 |
| 3.3.4 N掺杂In_2O_3薄膜的输运性能分析 | 第42-45页 |
| 3.3.5 N掺杂In_2O_3薄膜的带隙变化 | 第45-46页 |
| 3.3.6 N掺杂In_2O_3体系的理论分析 | 第46-49页 |
| 3.4 N掺杂In_2O_3薄膜的磁性来源 | 第49-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 Fe、N共掺杂In_2O_3基稀磁半导体薄膜的电子结构与性能 | 第51-65页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 实验过程 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-64页 |
| 4.3.1 Fe、N共掺杂In_2O_3薄膜的X射线衍射分析 | 第52-53页 |
| 4.3.2 Fe、N共掺杂In_2O_3薄膜的价态分析 | 第53-54页 |
| 4.3.3 Fe、N共掺杂In_2O_3薄膜的局域结构分析 | 第54-57页 |
| 4.3.4 Fe、N共掺杂In_2O_3薄膜的磁性分析 | 第57-58页 |
| 4.3.5 Fe、N共掺杂In_2O_3薄膜的输运性能分析 | 第58-61页 |
| 4.3.6 Fe、N共掺杂In_2O_3薄膜的带隙变化 | 第61-62页 |
| 4.3.7 Fe、N共掺杂In_2O_3体系的理论分析 | 第62-64页 |
| 4.4 Fe、N共掺杂In_2O_3薄膜的磁性来源 | 第64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
