| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪言 | 第15-30页 |
| 1.1 光电子技术 | 第15-19页 |
| 1.2 光电探测器简介 | 第19-21页 |
| 1.2.1 光电探测器的种类及工作原理 | 第19-20页 |
| 1.2.2 光电探测器的应用 | 第20-21页 |
| 1.3 金属纳米颗粒的合成及其表面等离子体共振特性 | 第21-25页 |
| 1.3.1 金属纳米颗粒的合成方法 | 第21-22页 |
| 1.3.2 金属纳米颗粒表面等离子体共振特性 | 第22-25页 |
| 1.4 金属纳米颗粒表面等离子体共振特性的应用 | 第25-28页 |
| 1.4.1 金属纳米颗粒表面等离子体共振特性在光电子器件方面的应用 | 第25-26页 |
| 1.4.2 金属纳米颗粒表面等离子体共振特性在纳米传感器方面的应用 | 第26-28页 |
| 1.4.3 金属纳米颗粒表面等离子体共振特性在表面增强拉曼散射方面的应用 | 第28页 |
| 1.5 本课题的研究背景及选题意义 | 第28-30页 |
| 第二章 铟纳米颗粒阵列与ZnSe纳米带的合成与表征 | 第30-38页 |
| 2.1 实验所用药品及设备 | 第30-31页 |
| 2.2 六角铟纳米颗粒阵列的合成方法 | 第31-33页 |
| 2.3 ZnSe纳米带的合成方法 | 第33-34页 |
| 2.4 六角铟纳米颗粒阵列和ZnSe纳米带的结构特性表征 | 第34-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 石墨烯/ZnSe纳米带肖特基结蓝光探测器的制备及其光电特性分析 | 第38-43页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 基于石墨烯/ZnSe纳米带肖特基结光电探测器的制备 | 第39页 |
| 3.3 基于石墨烯/ZnSe纳米带肖特基结光电探测器的光电性能表征 | 第39-41页 |
| 3.4 基于石墨烯/ZnSe纳米带肖特基结光电探测器的光电特性分析 | 第41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/ZnSe纳米带肖特基结器件的制备及其应用 | 第43-52页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 模板法制备铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯薄膜 | 第44-45页 |
| 4.3 铟纳米颗粒阵列修饰石墨烯的表征 | 第45-47页 |
| 4.4 基于修饰铟纳米颗粒阵列的石墨烯/ZnSe纳米带光电探测器件 | 第47-51页 |
| 4.4.1 修饰铟纳米颗粒阵列前后石墨烯/ZnSe纳米带光电探测器件制备过程 | 第47-48页 |
| 4.4.2 修饰铟纳米颗粒阵列前后石墨烯/ZnSe纳米带光电探测器件性能对比 | 第48-51页 |
| 4.5 本章总结 | 第51-52页 |
| 第五章 全文总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间的学术成果 | 第58页 |
