| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 自旋转移磁矩随机存储器简介 | 第15-17页 |
| 1.1.1 STT-MRAM结构 | 第15页 |
| 1.1.2 STT-MRAM的工作原理 | 第15-17页 |
| 1.2 STT-MRAM cache概述 | 第17-18页 |
| 1.3 STT-MRAM cache的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 课题研究的重点与实施方案 | 第20页 |
| 1.5 论文主要内容与论文结构 | 第20-23页 |
| 第二章 STT-MRAM建模与仿真 | 第23-35页 |
| 2.1 Verilog-a简介 | 第23-25页 |
| 2.2 STT-MRAM电阻 | 第25-26页 |
| 2.3 STT-MRAM临界电流 | 第26-27页 |
| 2.4 翻转时间 | 第27-28页 |
| 2.4.1 SUN模型 | 第27-28页 |
| 2.4.2 Neel-Brown模型 | 第28页 |
| 2.4.3 脉冲宽度 | 第28页 |
| 2.5 参数高斯分布 | 第28-29页 |
| 2.6 建模流程 | 第29-35页 |
| 第三章 STT-MRAM cache读写电路算法和结构研究 | 第35-49页 |
| 3.1 映射方式 | 第36-40页 |
| 3.1.1 直接映射方式 | 第36-38页 |
| 3.1.2 全相联映射方式 | 第38-39页 |
| 3.1.3 组相联映射方式 | 第39-40页 |
| 3.2 替换策略 | 第40-43页 |
| 3.2.1 随机替换算法 | 第40页 |
| 3.2.2 先进先出替换算法 | 第40-41页 |
| 3.2.3 近期最少使用算法 | 第41-43页 |
| 3.3 一致性要求 | 第43-44页 |
| 3.4 MESI协议 | 第44-45页 |
| 3.5 动态数据写入 | 第45-49页 |
| 3.5.1 动态数据阵列算法 | 第45-47页 |
| 3.5.2 动态标签阵列算法 | 第47-49页 |
| 第四章 STT-MRAM cache读写电路设计 | 第49-67页 |
| 4.1 映射算法实现 | 第50-51页 |
| 4.2 读出策略实现 | 第51-52页 |
| 4.3 写入策略实现 | 第52页 |
| 4.4 替换算法实现 | 第52-54页 |
| 4.5 写回策略实现 | 第54-55页 |
| 4.6 有效位实现 | 第55页 |
| 4.7 Cache控制器实现 | 第55-61页 |
| 4.7.1 内部控制器 | 第55-59页 |
| 4.7.2 外部控制器实现 | 第59-61页 |
| 4.8 异步FIFO的设计 | 第61-62页 |
| 4.9 cache流水线设计 | 第62-67页 |
| 4.9.1 流水线工作原理 | 第62-64页 |
| 4.9.2 Cache流水线实现 | 第64-67页 |
| 第五章 STT-MRAM cache读写电路与阵列仿真 | 第67-81页 |
| 5.1 NVsim | 第67-72页 |
| 5.1.1 NVsim简介 | 第67页 |
| 5.1.2 STT-MRAM cache仿真参数简介 | 第67-71页 |
| 5.1.3 仿真参数设置 | 第71-72页 |
| 5.2 STT-MRAM cache仿真结果 | 第72-76页 |
| 5.3 Cache读写电路功能仿真 | 第76-79页 |
| 5.4 Cache读写电路综合 | 第79-81页 |
| 第六章 结束语 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89-90页 |
