| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 微纳半导体激光器的简介 | 第11-13页 |
| 1.2 激光器尺寸的极限 | 第13-15页 |
| 1.3 微纳腔激光器的增益材料介质 | 第15-18页 |
| 1.4 微纳腔激光器的分类 | 第18-28页 |
| 1.5 论文的主要研究内容和结构安排 | 第28-31页 |
| 第2章 光子晶体纳腔对于量子点调制作用的理论计算与分析性 | 第31-49页 |
| 2.1 微米量子点全路径速率方程模型的理论研究 | 第31-36页 |
| 2.2 纳腔效应对于自发辐射的调制作用 | 第36-38页 |
| 2.3 纳腔作用下的量子点全路径速率方程 | 第38-39页 |
| 2.4 计算结果与分析 | 第39-48页 |
| 2.5 本章小节 | 第48-49页 |
| 第3章 光子晶体理论计算方法 | 第49-69页 |
| 3.1 平面波展开法(plane wave expansion method) | 第49-55页 |
| 3.2 有限时域差分法(finite-difference time-domain method) | 第55-68页 |
| 3.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第4章 二维光子晶体平板结构的工艺制备 | 第69-93页 |
| 4.1 芯片的设计和生长 | 第69-71页 |
| 4.2 光子晶体平板制备的工艺流程 | 第71-72页 |
| 4.3 电子束曝光 (electron beam lithography) | 第72-84页 |
| 4.4 刻蚀工艺 | 第84-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-93页 |
| 第5章 二维光子晶体纳腔激光器的设计与制备 | 第93-106页 |
| 5.1 二维光子晶体纳腔的设计 | 第93-97页 |
| 5.2 高Q值正六边形耦合光子晶体纳腔阵列 | 第97-104页 |
| 5.3 光子晶体光学分子 | 第104-105页 |
| 5.4 本章小结 | 第105-106页 |
| 第6章 结论与展望 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-121页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第121-123页 |
| 指导老师简介 | 第123-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
