| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| ·强关联电子氧化物中的金属-绝缘体相变 | 第13-15页 |
| ·金属-绝缘体相变的基本机制 | 第15-18页 |
| ·Wilson相变 | 第16页 |
| ·Peierls相变 | 第16页 |
| ·Anderson相变 | 第16-17页 |
| ·Mott相变 | 第17-18页 |
| ·钙钛矿稀土镍酸盐RNiO_3的研究进展 | 第18-29页 |
| ·RNiO_3块体及薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·RNiO_3的晶体结构及金属-绝缘体相变 | 第20-22页 |
| ·RNiO_3相变的能带解释 | 第22-23页 |
| ·触发RNiO_3相变发生的途径 | 第23-25页 |
| ·调节RNiO_3相变温度的方法 | 第25-29页 |
| ·本论文内容安排 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第2章 RNiO_3薄膜的样品制备及其表征手段 | 第35-53页 |
| ·RNiO_3薄膜样品的制备方法 | 第35-39页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第35-39页 |
| ·RNiO_3薄膜样品的常用表征途径 | 第39-50页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第39-41页 |
| ·拉曼光谱技术 | 第41-42页 |
| ·傅立叶变换红外技术(FTIR) | 第42-45页 |
| ·X射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第45-47页 |
| ·SEM技术 | 第47页 |
| ·Kelvin四线法变温测电阻技术 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第3章 NdNiO_3/LaAlO_3外延薄膜的金属-绝缘体相变 | 第53-75页 |
| ·背景介绍 | 第53页 |
| ·NdNiO_3/LaAlO_3外延薄膜的制备 | 第53-55页 |
| ·靶材制备与衬底选择 | 第53-54页 |
| ·PLD方法制备NdNiO_3/LaAlO_3外延薄膜 | 第54-55页 |
| ·生长氧压对NdNiO3/LaAlO3外延薄膜性能的影响 | 第55-58页 |
| ·衬底温度对NdNiO3/LaAlO3外延薄膜性能的影响 | 第58-60页 |
| ·薄膜的厚度对NdNiO3/LaAlO3外延薄膜金属-绝缘体相变的影响 | 第60-73页 |
| ·物相分析 | 第61-63页 |
| ·薄膜厚度对相变温度的影响 | 第63-65页 |
| ·Raman与红外的测试结果与分析 | 第65-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第4章 Nd_(1-X)Y_XNiO_3薄膜的金属-绝缘体相变性能的研究 | 第75-89页 |
| ·背景介绍 | 第75-76页 |
| ·物相分析 | 第76-77页 |
| ·变温电阻率实验结果与分析 | 第77-79页 |
| ·红外光学性能的测试结果及分析 | 第79-80页 |
| ·局域结构的变化对相变性能的影响 | 第80-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第5章 电场对Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3/LaAlO_3外延薄膜MI相变的影响 | 第89-113页 |
| ·电场诱发Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3薄膜的MI相变 | 第89-99页 |
| ·研究现状 | 第89-91页 |
| ·电压源诱导Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3薄膜相变 | 第91-93页 |
| ·电流源诱导Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3薄膜相变 | 第93-95页 |
| ·红外与Raman的测试结果及分析 | 第95-99页 |
| ·电场调控Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3薄膜相变温度的初步研究 | 第99-105页 |
| ·研究现状 | 第99-101页 |
| ·栅极电压对Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3薄膜相变温度的调控作用 | 第101-105页 |
| ·电场调控Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3/LaAlO_3外延薄膜的MI相变温度 | 第105-111页 |
| ·研究现状 | 第105-106页 |
| ·Nd_(0.7)Y_(0.3)NiO_3薄膜的忆阻效应 | 第106-111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 第6章 总结与展望 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第117-118页 |
