| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-17页 |
| 第1章 非绝热分子动力学 | 第17-41页 |
| ·引言 | 第17-21页 |
| ·透热表象 | 第19-21页 |
| ·波恩-奥本海默近似和绝热动力学 | 第21-22页 |
| ·绝热条件 | 第21-22页 |
| ·埃伦费斯特(Ehrenfest)动力学 | 第22-29页 |
| ·含时自洽场方法 | 第22-23页 |
| ·含时自洽场方法经典极限-Ehrenfest动力学 | 第23-25页 |
| ·基于含时密度泛函理论的Ehrenfest动力学 | 第25-27页 |
| ·初始条件的选择 | 第27-28页 |
| ·流程 | 第28页 |
| ·Ehrenfest方法的缺陷 | 第28-29页 |
| ·面跳跃(Surface Hopping)方法 | 第29-36页 |
| ·最少面跳跃方法 | 第30-32页 |
| ·能量守恒和阻挫跳跃 | 第32-33页 |
| ·量子退相干问题 | 第33-35页 |
| ·非绝热耦合矢量 | 第35页 |
| ·初始条件选择 | 第35-36页 |
| ·流程 | 第36页 |
| ·基于含时密度泛函的面跳跃方法 | 第36-41页 |
| ·单电子轨道 | 第38页 |
| ·经典路径近似 | 第38页 |
| ·流程 | 第38-41页 |
| 第2章 过渡金属二硫化物异质结 | 第41-47页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·过渡金属二硫化物 | 第41-43页 |
| ·范德华异质结 | 第43-47页 |
| ·过渡金属二硫化物异质结中超快电荷转移过程 | 第44-47页 |
| 第3章 MOS_2/WS_2界面声子辅助的超快电荷转移过程的研究 | 第47-63页 |
| ·背景介绍 | 第47-48页 |
| ·计算细节 | 第48-53页 |
| ·计算方法 | 第48页 |
| ·超胞的选择 | 第48-49页 |
| ·泛函测试 | 第49页 |
| ·范德华修正 | 第49-50页 |
| ·双层异质结的堆积方式 | 第50-51页 |
| ·基态分子动力学 | 第51页 |
| ·电荷转移的绝热和非绝热贡献 | 第51-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-61页 |
| ·MoS_2/WS_2异质结的电子结构 | 第53-54页 |
| ·分子动力学结果 | 第54-55页 |
| ·C7堆积异质结的非绝热分子动力学 | 第55-58页 |
| ·T堆积异质结的非绝热分子动力学 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 第4章 MOS_2/WS_2和MoSe_2/WSe_2异质结中光激发载流子的动力学对比 | 第63-71页 |
| ·背景介绍 | 第63-64页 |
| ·计算细节 | 第64-65页 |
| ·布里渊区折叠 | 第65页 |
| ·结果和讨论 | 第65-69页 |
| ·分子动力学结果 | 第65-67页 |
| ·光激发电子动力学 | 第67-68页 |
| ·光激发空穴动力学 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 第5章 总结和展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 附录A 与VASP接口的NAMD程序 | 第81-101页 |
| A.1 程序说明 | 第81页 |
| A.2 主函数 | 第81-82页 |
| A.3 精度以及常用常数模块 | 第82-83页 |
| A.4 参数输入模块 | 第83-85页 |
| A.5 晶格模块 | 第85-86页 |
| A.6 VASP波函数文件WAVECAR处理模块 | 第86-89页 |
| A.7 非绝热耦合系数模块 | 第89-94页 |
| A.8 哈密顿量模块 | 第94-96页 |
| A.9 展开系数演化模块 | 第96-97页 |
| A.10 面跳跃以及结果输出模块 | 第97-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第103页 |
