| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 第1章 引言 | 第14-32页 |
| ·红外探测技术 | 第14-17页 |
| ·红外辐射 | 第14-15页 |
| ·红外探测器 | 第15-17页 |
| ·碲镉汞红外焦平面探测器 | 第17-26页 |
| ·碲镉汞材料特点 | 第17-18页 |
| ·碲镉汞红外焦平面探测器发展与结构特点 | 第18-22页 |
| ·碲镉汞红外焦平面探测器的特性参数 | 第22-24页 |
| ·碲镉汞红外焦平面探测器可靠性 | 第24-26页 |
| ·碲镉汞红外焦平面探测器可靠性关键技术问题 | 第26-29页 |
| ·论文的研究目的和内容安排 | 第29-32页 |
| ·本论文研究的目的及意义 | 第29-30页 |
| ·本论文的内容安排 | 第30-32页 |
| 第2章 红外焦平面探测器封装结构低温形变的研究 | 第32-43页 |
| ·热失配形变研究的意义 | 第32-33页 |
| ·多层结构热失配计算理论及方法 | 第33-34页 |
| ·红外焦平面探测器封装结构一般形式 | 第34-35页 |
| ·探测器封装结构低温形变的测量 | 第35-39页 |
| ·测量系统设计 | 第35-36页 |
| ·测试样品安装 | 第36-37页 |
| ·样品测试 | 第37页 |
| ·测量结果与分析 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39页 |
| ·硅基面阵探测器封装结构低温形变测量 | 第39-42页 |
| ·焦平面器件充胶前后形变 | 第40-41页 |
| ·不同批次面阵器件封装结构低温形变测量 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 焦平面封装用低温环氧胶改性研究 | 第43-52页 |
| ·焦平面封装粘接技术 | 第43-44页 |
| ·底充胶 | 第43-44页 |
| ·粘接贴片 | 第44页 |
| ·低温环氧胶 | 第44-45页 |
| ·胶改性实验 | 第45-51页 |
| ·改性原理与方法 | 第45页 |
| ·样品制备 | 第45-47页 |
| ·性能测试与分析 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 焦平面封装相关材料参数及低温循环实验研究 | 第52-62页 |
| ·焦平面封装涉及的材料 | 第52页 |
| ·材料参数实验 | 第52-58页 |
| ·试验方法 | 第53页 |
| ·样品的设计 | 第53-54页 |
| ·低温平均线膨胀系数测试 | 第54-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| ·高低温冲击下材料特性变化 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 应力对碲镉汞探测器性能影响的研究 | 第62-74页 |
| ·碲镉汞焦平面器件中的应力现象 | 第62-63页 |
| ·碲镉汞光伏器件暗电流机制 | 第63-65页 |
| ·应力施加装置设计 | 第65-66页 |
| ·装置结构 | 第65页 |
| ·调节方法 | 第65-66页 |
| ·芯片结构 | 第66-67页 |
| ·测试结果与分析 | 第67-73页 |
| ·高低温冲击器件性能变化 | 第67-68页 |
| ·不同应力状态器件性能变化 | 第68-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第6章 碲镉汞线列红外焦平面探测器结构优化设计 | 第74-97页 |
| ·碲镉汞线列焦平面探测器结构及工艺流程 | 第74-75页 |
| ·碲镉汞线列焦平面探测器结构的有限元模型 | 第75-77页 |
| ·材料属性及参数的选取 | 第75-76页 |
| ·有限元模型网格与边界条件 | 第76-77页 |
| ·有限元分析结果与实验对比分析 | 第77-81页 |
| ·直接倒焊(Ⅰ型)模块 | 第77-78页 |
| ·间接倒焊(Ⅱ型)模块 | 第78页 |
| ·Ⅰ型模块与Ⅱ型模块热失配程度比较 | 第78-81页 |
| ·碲镉汞线列红外探测器结构优化 | 第81-95页 |
| ·直接倒焊(Ⅰ型)模块 | 第82-91页 |
| ·间接倒焊(Ⅱ型)模块 | 第91-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第7章 碲镉汞大面阵红外焦平面探测器结构优化设计 | 第97-120页 |
| ·碲镉汞大面阵红外焦平面探测器 | 第97-99页 |
| ·HgCdTe 薄膜外延（常用衬底材料） | 第97-98页 |
| ·面阵焦平面芯片结构及工艺流程 | 第98-99页 |
| ·碲镉汞大面阵红外探测器结构的有限元模型 | 第99-100页 |
| ·结构尺寸选择 | 第99-100页 |
| ·有限元模型网格与边界条件 | 第100页 |
| ·Si 基衬底类型探测器热失配情况研究 | 第100-108页 |
| ·Si 基衬底类型探测器热失配问题 | 第100-102页 |
| ·Si 基衬底类型探测器热失配情况影响因素 | 第102-104页 |
| ·优化设计 | 第104-107页 |
| ·杜瓦冷平台封装 | 第107-108页 |
| ·实验验证 | 第108页 |
| ·GaAs 基衬底类型面阵探测器热失配情况研究 | 第108-119页 |
| ·GaAs 基衬底类型探测器热失配问题 | 第108-110页 |
| ·GaAs 基衬底类型面阵探测器热失配情况影响因素 | 第110-112页 |
| ·优化设计 | 第112-116页 |
| ·杜瓦冷平台封装 | 第116-118页 |
| ·实验验证 | 第118-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 第8章 总结与展望 | 第120-124页 |
| ·全文总结 | 第120-122页 |
| ·未来研究展望 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-130页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第130页 |