| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·论文研究背景 | 第7页 |
| ·国内外研究现状和发展趋势 | 第7-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第7-8页 |
| ·未来发展趋势 | 第8-9页 |
| ·论文主要工作和结构安排 | 第9-10页 |
| 第二章 运算放大器的分类及工艺选择 | 第10-16页 |
| ·运算放大器的分类 | 第10-12页 |
| ·根据制造工艺分类 | 第10页 |
| ·根据功能分类 | 第10-12页 |
| ·运算放大器的主要参数 | 第12-15页 |
| ·直流指标和交流指标 | 第12-13页 |
| ·寄生参数 | 第13-15页 |
| ·运放的选择 | 第15-16页 |
| 第三章 运算放大器基础 | 第16-23页 |
| ·运放的组成及特点 | 第16-17页 |
| ·工艺基础 | 第17-23页 |
| ·双极型工艺、CMOS工艺和BiCMOS工艺优缺点 | 第17页 |
| ·双极型半导体元件制作过程 | 第17-19页 |
| ·CMOS集成电路工艺基础 | 第19-22页 |
| ·BiCMOS集成电路工艺基础 | 第22-23页 |
| 第四章 运算放大器设计 | 第23-38页 |
| ·运算放大器的设计基础及相应版图注意点 | 第23-27页 |
| ·RailtoRail运算放大器设计 | 第27-38页 |
| ·电路设计及相应版图注意点 | 第27-34页 |
| ·电路仿真结果 | 第34-38页 |
| 第五章 运算放大器版图设计 | 第38-53页 |
| ·模拟版图设计一般步骤 | 第38-40页 |
| ·放大器版图的具体设计 | 第40-44页 |
| ·面积预估 | 第40页 |
| ·芯片布局 | 第40-41页 |
| ·输入级版图设计 | 第41-42页 |
| ·器件的匹配 | 第42-43页 |
| ·输出级版图设计 | 第43-44页 |
| ·两通道运放的版图设计 | 第44-45页 |
| ·版图验证 | 第45-50页 |
| ·流片 | 第50-51页 |
| ·版图的优化 | 第51-52页 |
| ·芯片的封装 | 第52-53页 |
| 第六章 CMOS技术中的闩锁效应 | 第53-60页 |
| ·闩锁问题概述 | 第53-55页 |
| ·闩锁的触发方式 | 第55-56页 |
| ·闩锁的防止 | 第56-60页 |
| ·版图设计布局规则 | 第56-58页 |
| ·破坏双极特性的工艺技术 | 第58页 |
| ·双极去耦工艺技术 | 第58-60页 |
| 第七章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |