| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-25页 |
| ·目前的主流存储器 | 第9-14页 |
| ·动态随机存储器 | 第10-12页 |
| ·静态随机存储器 | 第12页 |
| ·只读存储器 | 第12-14页 |
| ·阻值转换与非易失性存储器 | 第14-17页 |
| ·铁电存储器 | 第17-23页 |
| ·铁电材料 | 第17-19页 |
| ·铁电电容存储技术 | 第19-22页 |
| ·铁电晶体管存储器 | 第22-23页 |
| ·选题背景及研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 高介电值HfTaO 绝缘层铁电晶体管的制备与性能分析 | 第25-35页 |
| ·高介电值绝缘层技术 | 第25-26页 |
| ·HfTaO 绝缘层铁电晶体管的制备 | 第26-28页 |
| ·HfTaO 绝缘层铁电晶体管的性能 | 第28-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第3章 NOR 型铁电晶体管只读存储器 | 第35-46页 |
| ·只读存储器的随机写操作潜力 | 第35-43页 |
| ·EEPROM | 第35-38页 |
| ·铁电晶体管存储单元 NAND FLASH 只读存储器 | 第38-40页 |
| ·NOR FLASH | 第40-43页 |
| ·铁电晶体管存储单元 NOR FLASH 只读存储器 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第4章 铁电晶体管动态随机存储器 | 第46-53页 |
| ·随机动态存储器及其刷新操作 | 第46页 |
| ·铁电晶体管DRAM 及其刷新操作 | 第46-49页 |
| ·无编程扰动的铁电晶体管DRAM 存储单元 | 第49-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第5章 工作总结与展望 | 第53-55页 |
| ·论文总结 | 第53-54页 |
| ·工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第63页 |
