RRAM存储单元设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·非挥发性存储器简介 | 第7-8页 |
| ·新型非挥发性存储器发展概述 | 第8-11页 |
| ·铁电随机存取存储器（FeRAM） | 第8-9页 |
| ·磁阻式随机存取存储器（MRAM） | 第9页 |
| ·相变随机存取存储器（PRAM） | 第9-10页 |
| ·阻变随机存取存储器（RRAM） | 第10-11页 |
| ·研究目的与研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 RRAM 概述 | 第13-31页 |
| ·RRAM 的工作原理 | 第13-18页 |
| ·FORMING 过程 | 第13-15页 |
| ·SET 和 RESET 过程 | 第15-16页 |
| ·RRAM 性能指标 | 第16-18页 |
| ·RRAM 阻变机制 | 第18-21页 |
| ·Pool-Frenkel 效应 | 第18页 |
| ·SCLC 效应 | 第18-19页 |
| ·肖特基发射模型 | 第19页 |
| ·导电细丝（Filament）理论 | 第19-21页 |
| ·RRAM 研究现状 | 第21-30页 |
| ·RRAM 单元结构 | 第21-23页 |
| ·RRAM 薄膜材料 | 第23-27页 |
| ·RRAM 存储阵列 | 第27-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第三章 氧化铪基阻变存储器的设计与工艺 | 第31-37页 |
| ·二氧化铪材料概述 | 第31页 |
| ·氧化铪基阻变存储器前沿研究 | 第31-33页 |
| ·氧化铪基阻变存储器单元结构设计 | 第33-34页 |
| ·原子层淀积（ALD）工艺简介 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 氧化铪基阻变存储器的制备和特性测试 | 第37-43页 |
| ·氧化铪基阻变存储器的工艺制备流程 | 第37-38页 |
| ·氧化铪基阻变存储器的电学特性测试及分析 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第五章 RRAM 仿真的探索与尝试 | 第43-59页 |
| ·ATLAS 仿真工具介绍 | 第43-44页 |
| ·RRAM 仿真原理概述 | 第44-46页 |
| ·ATLAS 仿真方程 | 第44-45页 |
| ·击穿原理概述 | 第45页 |
| ·电介质离子迁移 | 第45-46页 |
| ·RRAM 建模与仿真 | 第46-58页 |
| ·RRAM 模型条件假设 | 第46-47页 |
| ·RRAM 物理机制假设 | 第47-48页 |
| ·RRAM 物理模型概述 | 第48-52页 |
| ·RRAM 单元仿真分析 | 第52-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
