| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| ·有机半导体材料 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·有机半导体材料的分类 | 第10-16页 |
| ·有机场效应晶体管器件结构、工作原理及材料需求 | 第16-18页 |
| ·基于氮杂并苯骨架的有机半导体 | 第18-19页 |
| ·石墨烯量子点 | 第19-24页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·石墨烯量子点的合成方法 | 第20-23页 |
| ·石墨烯量子点的性质 | 第23页 |
| ·化学掺杂石墨烯量子点 | 第23页 |
| ·石墨烯量子点的应用 | 第23-24页 |
| ·石墨烯类似物——二硫化钼(MoS_2) | 第24-29页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·纳米二硫化钼的合成方法 | 第25-26页 |
| ·纳米二硫化钼的结构 | 第26-27页 |
| ·无定形的MoS_x薄膜 | 第27页 |
| ·二硫化钼的性质 | 第27-29页 |
| ·工作思路和意义 | 第29-31页 |
| 第二章 氮杂并苯分子的合成与表征 | 第31-42页 |
| ·分子结构的设计 | 第31-33页 |
| ·分子的合成 | 第33-36页 |
| ·主要分子及最终产物的合成 | 第33-36页 |
| ·合成工作总结 | 第36页 |
| ·氮杂并五苯衍生物的表征 | 第36-39页 |
| ·光学性质表征 | 第36-37页 |
| ·电化学性质表征 | 第37-39页 |
| ·溶液法制作有机半导体器件 | 第39-41页 |
| ·简介 | 第39页 |
| ·器件制作过程及场效应性能测试 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第三章 二硫化钼修饰的还原氧化石墨烯纸电极对电化学产氢反应的催化性能研究 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验部分 | 第43-45页 |
| ·药品与试剂 | 第43-44页 |
| ·仪器和测量 | 第44页 |
| ·氧化石墨烯的制备方法 | 第44页 |
| ·rGO paper的制作过程 | 第44页 |
| ·MoS_2/rGO杂化电极的制作 | 第44-45页 |
| ·二硫化钼颗粒的制备 | 第45页 |
| ·玻碳电极的修饰 | 第45页 |
| ·电化学测试过程 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-51页 |
| ·TOP作为保护剂合成二硫化钼修饰rGO paper(MoS_2/TOP/rGO杂化电极)的形貌以及性质表征 | 第45-48页 |
| ·不加TOP保护剂合成二硫化钼修饰rGO paper(MoS_2/TOP/rGO杂化电极)的形貌以及性质表征 | 第48-49页 |
| ·催化产氢实验 | 第49-51页 |
| ·结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-62页 |
| 在学期间的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
