高深紫外量子效率GaN基紫外探测器的研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第一章 绪论	第9-26页
·引言	第9页
·紫外探测技术	第9-11页
·GaN材料的生长	第11-14页
·GaN材料的基本性质	第11-12页
·GaN外延层的生长	第12-14页
·GaN基紫外探测器的结构与发展	第14-18页
·光电导型紫外探测器	第14-15页
·肖特基型紫外探测器	第15-16页
·金属-半导体-金属(MSM)型紫外探测器	第16-17页
·p-i-n型紫外探测器	第17-18页
·本论文的主要研究内容	第18-20页
参考文献	第20-26页
第二章 GaN基p-i-n型紫外探测器	第26-34页
·p-i-n型紫外探测器工作原理	第26-27页
·GaN基紫外探测器的基本参数及其物理含义	第27-29页
·暗电流和噪声	第27-28页
·量子效率(η)、响应度(R和增益(g)	第28页
·响应时间和带宽	第28-29页
·探测率	第29页
·GaN基p-i-n型紫外探测器的优化设计	第29-31页
·本章小结	第31-32页
参考文献	第32-34页
第三章 GaN基p-i-n型器件的制备与测试	第34-51页
·p-GaN的欧姆接触	第34-36页
·Ni/Au与p-GaN欧姆接触特性研究	第36-39页
·器件制备	第39-43页
·器件的测试与分析	第43-47页
·电流-电压(I-V)特性	第43-44页
·光谱响应特性	第44-47页
·探测率	第47页
·本章小结	第47-49页
参考文献	第49-51页
第四章 论文总结与展望	第51-53页
·论文总结	第51页
·研究展望	第51-53页
发表论文目录	第53-54页
致谢	第54-55页