| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-31页 |
| ·引言 | 第6-7页 |
| ·光刻的基本流程 | 第7-11页 |
| ·光刻基本原理 | 第11-20页 |
| ·解析度增强技术 | 第20-30页 |
| ·抗反射涂层ARC | 第21-23页 |
| ·离轴照明技术OAI | 第23-24页 |
| ·光学临近效应校正OPC | 第24-27页 |
| ·相位移掩模技术PSM | 第27-30页 |
| ·本文研究的主要内容和方向 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第二章 半色调式PSM在接触孔曝光中的旁瓣问题 | 第31-36页 |
| ·旁瓣在DUV光刻胶上易于成像的机理 | 第31-33页 |
| ·DUV光刻胶反应机理介绍 | 第31-33页 |
| ·光刻胶的敏感度（Sensitivity） | 第33页 |
| ·DRAM产品因接触孔旁瓣成像良率损失的问题 | 第33-36页 |
| 第三章 对接触孔光刻工艺参数的研究 | 第36-45页 |
| ·光掩模图形制作尺寸对曝光能量的影响 | 第36-40页 |
| ·CD量测机台的介绍和选用 | 第36-37页 |
| ·光掩模图形制作尺寸影响曝光能量的机理和试验验证结果 | 第37-40页 |
| ·曝光数值孔径NA对光刻曝光能量的影响 | 第40-44页 |
| ·光刻曝光机的介绍和选用 | 第40-41页 |
| ·曝光数值孔径影响曝光能量的机理和试验验证结果 | 第41-44页 |
| ·长期有效验证 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |