SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第10-12页 |
| ·国内外发展状况 | 第12-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 2 SiO_2/SiC界面及其评价方法 | 第15-25页 |
| ·MOS系统中的界面/近界面电荷 | 第15-17页 |
| ·界面陷阱电荷 | 第15-16页 |
| ·固定电荷 | 第16页 |
| ·氧化层陷阱电荷 | 第16-17页 |
| ·SiO_2/SiC界面态起源 | 第17-18页 |
| ·衬底杂质 | 第17页 |
| ·悬挂键 | 第17页 |
| ·SiO_2/SiC界面处的C簇 | 第17页 |
| ·边界陷阱 | 第17-18页 |
| ·界面处的Si_XC过渡层 | 第18页 |
| ·界面态评价 | 第18-24页 |
| ·SiC禁带中界面态的响应时间 | 第18-19页 |
| ·高频(Terman)方法 | 第19-22页 |
| ·高频准静态C-V测试 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 SiC MOS电容工艺 | 第25-36页 |
| ·衬底的前处理 | 第25页 |
| ·氧化工艺设计 | 第25-28页 |
| ·SiC热氧化机理 | 第25-27页 |
| ·SiC热氧化速率 | 第27页 |
| ·氧化工艺设计 | 第27-28页 |
| ·氮等离子体处理工艺 | 第28-31页 |
| ·处理装置 | 第28-31页 |
| ·处理条件的讨论 | 第31页 |
| ·金属电极制作工艺 | 第31-35页 |
| ·金属掩膜板 | 第31-34页 |
| ·金属电极制作工艺 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 氧化膜特性评价 | 第36-44页 |
| ·Fowler-Nordheim隧道电流模型 | 第36-39页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ测试及数据解析 | 第39-41页 |
| ·氧化膜特性评价 | 第41-42页 |
| ·背电极的欧姆特性 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 MOS界面特性评价 | 第44-59页 |
| ·SiC MOS电容特性分析 | 第44-52页 |
| ·SiC中杂质的不完全离化 | 第44-47页 |
| ·SiC MOS电容的C-V特性 | 第47-51页 |
| ·SiC MOS的平带电容 | 第51-52页 |
| ·C-V测试与分析 | 第52-55页 |
| ·MOS界面特性评价 | 第55-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
