| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-18页 |
| 第一章 前言 | 第18-55页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·量子点的概念 | 第19-20页 |
| ·量子点的研究发展历史 | 第20-21页 |
| ·量子点的基本特性 | 第21-25页 |
| ·量子尺寸效应 | 第21-22页 |
| ·小尺寸效应 | 第22页 |
| ·表面效应 | 第22-24页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第24页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第24-25页 |
| ·介电限域效应 | 第25页 |
| ·半导体量子点的发光原理和发光特性 | 第25-30页 |
| ·发光原理 | 第25-27页 |
| ·量子点的发光特性 | 第27-30页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ型半导体量子点的制备 | 第30-37页 |
| ·有机金属法 | 第30-32页 |
| ·微乳液法 | 第32-33页 |
| ·水热/溶剂热法 | 第33-34页 |
| ·水溶液中利用小分子巯基、柠檬酸、磷酸化合物作为稳定剂直接合成量子点 | 第34-37页 |
| ·半导体量子点的表面修饰 | 第37-38页 |
| ·半导体量子点与生物分子结合 | 第38-40页 |
| ·量子点在分析化学中的应用研究进展 | 第40-45页 |
| ·无机离子及分子的检测 | 第40-42页 |
| ·DNA 的标记 | 第42-43页 |
| ·细胞成像 | 第43-44页 |
| ·生物活体成像 | 第44-45页 |
| ·当前量子点研究的主要方向 | 第45页 |
| ·论文设想 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-55页 |
| 第二章 荧光性CdS量子点的水相合成及其对金属离子的传感 | 第55-93页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验部分 | 第56-61页 |
| ·仪器与试剂 | 第56-57页 |
| ·仪器方法 | 第57-59页 |
| ·实验方法 | 第59-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-86页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 合成条件的选择 | 第61-64页 |
| ·反应时间对CdS QDs 荧光强度的影响 | 第61-62页 |
| ·不同S~(2-) / Cd~(2+)摩尔比对CdS QDs 荧光强度的影响 | 第62-63页 |
| ·TGA / Cd~(2+)摩尔比对CdS QDs 荧光强度的影响 | 第63页 |
| ·反应介质pH 值对CdS QDs 荧光强度的影响 | 第63-64页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 的光学特性 | 第64-66页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 的形貌及晶型 | 第66页 |
| ·CdS QDs 对金属离子的响应 | 第66-81页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 对Ag~+离子的响应 | 第67-71页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 对Zn~(2+)离子的响应 | 第71-73页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 对Cd~(2+)离子的响应 | 第73-75页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 对Cu~(2+)离子的响应 | 第75-77页 |
| ·TGA 稳定的CdS QDs 对Hg~(2+)离子的响应 | 第77-81页 |
| ·CdS QDs 对金属离子的响应机理 | 第81-86页 |
| ·Cu~(2+)离子对CdS QDs 荧光的猝灭 | 第81-84页 |
| ·Hg~(2+)离子对CdS QDs 荧光的猝灭 | 第84-86页 |
| ·Ag~+离子对CdS QDs荧光的增敏 | 第86页 |
| ·Zn~(2+) 、Cd~(2+)离子对CdS QDs 荧光的增敏 | 第86页 |
| ·不同表面态的CdS QDs对金属离子的响应差异 | 第86-90页 |
| ·CdS QDs 表面态差异对Ag~+ 、Zn~(2+)离子传感的影响 | 第87-88页 |
| ·CdS QDs 表面态差异对Cd~(2+)离子传感的影响 | 第88-89页 |
| ·CdS QDs表面态差异对Cu~(2+) 、Hg~(2+)离子传感的影响 | 第89-90页 |
| ·小结 | 第90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 第三章 水相中合成ZnSe 量子点的光诱导荧光增敏作用 | 第93-121页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·实验部分 | 第94-95页 |
| ·仪器与试剂 | 第94页 |
| ·实验方法 | 第94-95页 |
| ·结果与讨论 | 第95-117页 |
| ·光照后处理前后ZnSe QDs 的光学特性 | 第95-97页 |
| ·光照后处理前ZnSe QDs 的光学特性 | 第95-96页 |
| ·光照后处理后ZnSe QDs 的光学特性 | 第96-97页 |
| ·ZnSe QDs 的光诱导荧光增敏机理 | 第97-102页 |
| ·TGA 稳定的ZnSe QDs 的制备条件的选择 | 第102-105页 |
| ·反应时间的影响 | 第102-103页 |
| ·回流时间的影响 | 第103-104页 |
| ·Zn~(2+)和TGA 摩尔比的影响 | 第104页 |
| ·Zn~(2+)和NaHSe比例的影响 | 第104页 |
| ·制备介质pH 值的影响 | 第104-105页 |
| ·光照后处理条件的选择 | 第105-117页 |
| ·光源的选择 | 第105-107页 |
| ·ZnSe QDs 浓度的选择 | 第107-108页 |
| ·ZnSe QDs 溶液pH 值的影响 | 第108-111页 |
| ·光照时间的影响 | 第111-112页 |
| ·共存游离Zn~(2+)离子及TGA对ZnSe QDs光稳定性的影响 | 第112-113页 |
| ·共存游离Zn~(2+)离子及TGA对ZnSe QDs光诱导增敏的影响 | 第113-117页 |
| ·小结 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-121页 |
| 致谢 | 第121页 |
