| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·GaN 器件在微波大功率应用中的优势 | 第12-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件研究的历史和现状 | 第15-20页 |
| ·本论文的内容和安排 | 第20-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN 异质结 2DEG 的物理特性 | 第22-49页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结 2DEG 的成因 | 第22-25页 |
| ·自发极化和压电极化 | 第22-23页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结 2DEG 与极化效应的关系 | 第23-25页 |
| ·量子三角形势阱模型 | 第25-30页 |
| ·三角形势阱中 2DEG | 第25页 |
| ·理想量子三角形势阱模型 | 第25-26页 |
| ·异质结势阱中的有效势 | 第26-29页 |
| ·异质结三角形势阱模型的简化 | 第29-30页 |
| ·计算异质结 2DEG 子能带结构的常用方法 | 第30-35页 |
| ·类比法 | 第30-32页 |
| ·变分法 | 第32-33页 |
| ·迭代法 | 第33-35页 |
| ·三角形势阱中耦合 Poisson-Schroedinger 方程组的微扰法求解 | 第35-47页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结势阱 2DEG 子能带的计算 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 电场分布与场板工程研究 | 第49-64页 |
| ·调制 AlGaN/GaN HEMT 电场分布的必要性和场板技术简介 | 第49-51页 |
| ·电场分布的计算方法 | 第51-52页 |
| ·受主陷阱对沟道电场分布的影响 | 第52-54页 |
| ·优化场板设计的数值方法 | 第54-57页 |
| ·优化场板设计的解析模型 | 第57-63页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的电荷控制模型 | 第58-59页 |
| ·介质层厚度的优化 | 第59-62页 |
| ·场板长度的确定 | 第62-63页 |
| ·本章小节 | 第63-64页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌效应研究 | 第64-80页 |
| ·电流崩塌效应概述 | 第64页 |
| ·虚栅模型 | 第64-65页 |
| ·脉冲大信号下器件伏安特性和转移特性 | 第65-67页 |
| ·周期脉冲信号对 AlGaN/GaN 薄膜电阻的影响 | 第67-70页 |
| ·与 GaN 基 HEMT 电流崩塌现象相关的表面陷阱充电效应 | 第70-75页 |
| ·与 GaN 基 HEMT 电流崩塌现象相关的表面陷阱放电效应 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT 工艺技术研究 | 第80-96页 |
| ·GaN 基外延薄膜材料生长技术 | 第80-81页 |
| ·GaN 上欧姆接触 | 第81-87页 |
| ·欧姆接触的导电原理和测试方法 | 第81-84页 |
| ·GaN 上欧姆接触的制备和分析 | 第84-87页 |
| ·GaN 上背靠背双肖特基接触结构 | 第87-93页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件试制 | 第93-95页 |
| ·本章小节 | 第95-96页 |
| 第六章 结束语 | 第96-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-110页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第110页 |
