GaAs/InP晶片键合技术的研究

第一章 晶片键合技术介绍	第1-27页
·课题背景	第9-11页
·晶片键合技术简介	第11-27页
·键合技术的起源与历史	第11-12页
·键合技术的实质及主要方法	第12-19页
·键合技术的优势与应用	第19-25页
·键合技术面临的挑战	第25-27页
第二章 GaAs/InP键合理论研究	第27-42页
·预键合界面的范德华力	第27-28页
·引言	第27页
·理论分析	第27-28页
·结论	第28页
·晶片键合界面的应力分布及其影响范围	第28-32页
·引言	第28页
·理论分析	第28-31页
·结论	第31-32页
·晶片的室温接触	第32-39页
·引言	第32-33页
·两个弹性凸起点的接触和吸附	第33-35页
·两个晶片的接触面积和相互作用力	第35-37页
·结论	第37-39页
·键合界面空洞的产生与控制	第39-42页
·引言	第39页
·表面平整度和微观粗糙度的影响	第39-40页
·粒子沾污的影响	第40-41页
·表面挥发物质及其它因素的影响	第41页
·结论	第41-42页
第三章 GaAs/InP键合工艺的研究	第42-55页
·晶片键合的基本工艺流程	第42-44页
·GaAs/InP键合晶片的表面处理	第44-52页
·晶片的表面清洁	第45-46页
·晶片的表面腐蚀	第46-48页
·晶片的表面活化	第48-49页
·离子束轰击处理晶片表面	第49-52页
·GaAs/InP晶片的预键合与热处理	第52-55页
·晶片的预键合与热处理	第52页
·键合夹具	第52-55页
第四章 GaAs/InP键合质量的检测	第55-64页
·键合样品的观察	第55-59页
·键合样品透射谱的观察	第59-61页
·键合样品光学特性的测量	第61-64页
参考文献	第64-69页
致谢	第69页