| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪言 | 第11-14页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·本课题的研究思路 | 第12页 |
| ·本课题的研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-27页 |
| ·前言 | 第14页 |
| ·纳米材料的特性 | 第14-17页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·小尺寸效应 | 第16页 |
| ·表面与界面效应 | 第16-17页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第17页 |
| ·纳米材料的分类、应用及制备方法 | 第17-19页 |
| ·纳米材料的分类 | 第17-18页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第18-19页 |
| ·化合物半导体CdS纳米材料的性能及应用 | 第19页 |
| ·化合物半导体CdS纳米材料的研究进展 | 第19-27页 |
| ·CdS胶体纳米颗粒的研究进展 | 第20-22页 |
| ·CdS一维纳米结构的研究进展 | 第22-25页 |
| ·CdS复杂纳米结构的研究 | 第25-27页 |
| 第三章 实验方法、样品制备及测试方法、技术 | 第27-34页 |
| ·实验方法 | 第27-28页 |
| ·利用表面修饰剂控制CdS纳米粒子的粒径和粒径分布 | 第27页 |
| ·利用溶剂热法合成取向生长的CdS纳米棒和纳米线 | 第27-28页 |
| ·水热法合成独特形貌的等级状CdS树枝晶 | 第28页 |
| ·样品制备 | 第28-31页 |
| ·CdS纳米粒子在聚乙烯吡咯烷酮水溶液中的制备 | 第29页 |
| ·CdS—维纳米结构的溶剂热法合成 | 第29-30页 |
| ·水热法合成CdS树枝晶 | 第30-31页 |
| ·测试方法 | 第31-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| ·透射电子显微(TEM)和高分辨透射电子显微分析(HRTEM) | 第32页 |
| ·场发射扫描电镜形貌分析(FE—SEM)和EDX电子能谱 | 第32页 |
| ·紫外可见吸收光谱(UV-Vis absorption) | 第32-33页 |
| ·光致荧光光谱(PL) | 第33-34页 |
| 第四章 水热法合成CdS纳米粒子形貌、结构性能表征及机理研究 | 第34-41页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·不同硫源水热法合成CdS纳米粒子的形貌和尺寸的表征 | 第34-35页 |
| ·PVP修饰的CdS纳米粒子的合成、结构性能表征及机理研究 | 第35-40页 |
| ·PVP修饰的CdS纳米粒子结构和形貌的表征 | 第36-39页 |
| ·PVP修饰的CdS纳米粒子的光学性能研究 | 第39页 |
| ·PVP修饰剂对CdS纳米粒子粒径及分布的作用机理 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第五章 CdS纳米棒的合成、表征及机理研究 | 第41-57页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·以硫化钠为硫源在不同溶剂中合成CdS—维纳米结构 | 第42-46页 |
| ·乙二胺、乙二醇中合成CdS纳米粒子结构和形貌的表征 | 第42-44页 |
| ·乙二胺、乙二醇中合成的CdS纳米棒的光吸收性能表征 | 第44-45页 |
| ·硫化钠为硫源不同溶剂中合成CdS纳米晶的生长机理 | 第45-46页 |
| ·以硫脲为硫源不同溶剂对CdS纳米粒子形貌的影响 | 第46-51页 |
| ·硫脲与CdCl_2在不同溶剂中生长CdS的结构和形貌的表征 | 第47-49页 |
| ·硫脲与CdCl_2在不同溶剂中合成CdS的光学性能表征 | 第49-50页 |
| ·硫脲与CdCl_2在不同溶剂中生长CdS的生长机理 | 第50-51页 |
| ·硫脲为硫源en溶剂中有机高分子对CdS纳米晶粒的修饰 | 第51-56页 |
| ·PVP修饰的CdS纳米棒的结构和形貌的表征 | 第51-53页 |
| ·PVP修饰的CdS纳米棒的光学性能表征 | 第53-55页 |
| ·PVP修饰的CdS纳米棒的生长机理 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第六章 CdS纳米线的合成、表征及机理研究 | 第57-69页 |
| ·前言 | 第57页 |
| ·S粉为硫源的溶剂热合成CdS纳米线 | 第57-60页 |
| ·CdS纳米线的结构和形貌的表征 | 第58-59页 |
| ·CdS纳米线的光学性能表征 | 第59-60页 |
| ·S粉为硫源的溶剂热合成CdS纳米线的生长机理 | 第60-68页 |
| ·CdS纳米线以硫粉为源，溶剂系列实验—en的作用 | 第60-61页 |
| ·CdS纳米线以乙二胺为溶剂，硫源系列实验—S粉的作用 | 第61-62页 |
| ·CdS纳米线以硫粉为源，时间系列、温度系列、浓度系列 | 第62-66页 |
| ·S—en体系中CdS纳米线的生长机理研究 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第七章 等级状CdS树枝晶的合成、表征和机理研究 | 第69-80页 |
| ·前言 | 第69页 |
| ·等级状CdS树枝晶的合成 | 第69-70页 |
| ·等级状CdS纳米树枝晶的结构、形貌表征 | 第70-74页 |
| ·PEG修饰的等级状CdS树枝晶的结构、形貌表征 | 第70-72页 |
| ·TGA修饰的等级状CdS树枝晶的结构、形貌表征 | 第72-74页 |
| ·等级状CdS树枝晶的生长机理 | 第74-79页 |
| ·PEG修饰的等级状CdS树枝晶的时间系列实验 | 第74-75页 |
| ·PEG修饰的等级状CdS树枝晶的浓度系列的实验 | 第75-76页 |
| ·硫源对等级状CdS树枝晶形成的影响 | 第76页 |
| ·等级状CdS树枝晶的生长机理 | 第76-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 第八章 结论 | 第80-89页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 附录：研究生期间发表和完成的与本文相关的论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
