首页--数理科学和化学论文--分子物理学、原子物理学论文--原子物理学论文--原子的结构论文

磷原子的表面偏析与表面磷原子对锗量子点自组织生长的影响

中文摘要第1-7页
Abstract第7-9页
Chapter 1 General Introduction第9-26页
 § 1.1 Research background第9-21页
  § 1.1.1 Impurity segregation in Si MBE第9-14页
  § 1.1.2 Growth and properties of self-assembled Ge quantum dots第14-21页
   § 1.1.2.1 Growth of Ge quantum dots on clean Si(001) and Si(111)第14-16页
   § 1.1.2.2 Surfactant-mediated growth (SMG)第16-19页
   § 1.1.2.3 Optical properties and applications of Ge quantum dots第19-21页
 § 1.2 Outline of this thesis第21-22页
 References第22-26页
Chapter 2 Experimental Techniques and Characterization Methods第26-44页
 § 2.1 UHV Si MBE system第26-28页
 § 2.2 Phosphorus doping source第28-29页
 § 2.3 Chemical cleaning and in situ pre-treatment of Si substrates第29-30页
 § 2.4 X-ray scattering measurements第30-35页
  §2.4.1 X-ray Crystal truncation rod (CTR) scattering第31-34页
  § 2.4.2 Small angle x-ray reflectivity (SAXR)第34-35页
  § 2.4.3 Experimental details第35页
 § 2.5 Other characterization methods第35-42页
  § 2.5.1 Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)第35-37页
  § 2.5.2 Atomic force microscopy (AFM)第37页
  § 2.5.3 Raman scattering spectroscopy第37-40页
  § 2.5.4 Photoluminescence (PL) measurements第40-42页
 References第42-44页
Chapter 3 Investigation of Phosphorus Surface Segregation by X-ray Scattering Measurements第44-62页
 § 3.1 Introduction第44-45页
 § 3.2 Calibration of P doping concentrations第45-46页
 § 3.3 Discussions on several factors influencing X-ray CTR curves第46-49页
 § 3.4 Experimental第49-50页
 § 3.5 Results and discussion第50-59页
  §3.3.1 X-ray CTR scattering第50-58页
  §3.3.2 Small angle X-ray reflectivity (SAXR)第58-59页
 § 3.6 Summary第59-61页
 References第61-62页
Chapter 4 Phosphorus-Mediated Growth of Ge Quantum Dots on Si(001)第62-80页
 § 4.1 Introduction第62页
 § 4.2 Experimental第62-64页
 § 4.3 Results and discussion第64-76页
  § 4.3.1 Influence of P coverage on Ge dot morphology第64页
  § 4.3.2 Morphology comparison with Sb-/C-mediated Ge dots第64-68页
  §4.3.3 Discussion on growth mechanisms第68-69页
  § 4.3.4 Ge composition in P-mediated Ge dots第69-72页
  § 4.3.5 Further revealing on growth mechanism by in-situ annealing第72-76页
 §4.4 Summary第76-78页
 References第78-80页
Chapter 5 Growth of Ge Quantum Dot Multilayer Structures第80-90页
 § 5.1 Introduction第80-82页
 § 5.2 Experimental第82-84页
 § 5.3 Results and discussion第84-88页
  § 5.3.1 Morphology of Ge QD multilayer第84-86页
  § 5.3.2 Ge composition in multilayer QD samples第86-87页
  § 5.3.3 Photoluminescence (PL) measurements第87-88页
 §5.4 Summary第88-89页
 References第89-90页
Papers published during the Ph. D. studies第90-91页
Acknowledgements第91-92页

论文共92页,点击 下载论文
上一篇:《四川电信网络资源管理信息系统》项目风险管理研究
下一篇:公司监事会制度若干问题的探讨