| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·国内外复合氧化物超晶格的研究现状及动态 | 第10-11页 |
| ·复合氧化物超晶格的应用及其前景 | 第11-14页 |
| ·[(BTO)m/(STO)m]n超晶格的研究概况 | 第14-15页 |
| ·实验研究目的和任务 | 第15-16页 |
| 第二章 超晶格的理论基础 | 第16-23页 |
| ·超晶格的能态理论简述 | 第16-19页 |
| ·超晶格的基本物理性能及其分类 | 第19-23页 |
| ·超晶格的基本物理性能简述 | 第19-20页 |
| ·超晶格的分类 | 第20-23页 |
| 第三章 实验方案与思路 | 第23-35页 |
| ·超晶格薄膜的制备工艺 | 第23-26页 |
| ·LMBE技术的特点和优势 | 第23-24页 |
| ·LMBE的原理 | 第24-26页 |
| ·本实验常用的薄膜微观分析方法简述 | 第26-29页 |
| ·RHEED对薄膜的分析原理 | 第26-28页 |
| ·AFM对薄膜的分析原理 | 第28页 |
| ·XRD对薄膜的分析原理 | 第28-29页 |
| ·HRTEM对薄膜的分析原理 | 第29页 |
| ·靶材与基片 | 第29-31页 |
| ·基片的选择与清洗 | 第29-31页 |
| ·靶材的选择 | 第31页 |
| ·实验思路 | 第31-35页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第35-52页 |
| ·STO薄膜和BTO薄膜的外延生长研究 | 第35-44页 |
| ·基片温度对STO薄膜外延生长的影响 | 第36-40页 |
| ·基片温度对BTO薄膜外延生长的影响 | 第40-42页 |
| ·淀积速率对STO薄膜和BTO薄膜生长的影响 | 第42-44页 |
| ·[(BTO)m/(STO)m]n超晶格的制备 | 第44-52页 |
| ·实验工艺条件的确定 | 第44-46页 |
| ·[(BTO)8/(STO)8]55超晶格制备中RHEED的实时观测 | 第46-49页 |
| ·[(BTO)8/(STO)8]55超晶格的HRTEM图像分析 | 第49-50页 |
| ·[(BTO)8/(STO)8]55超晶格的AFM图像分析 | 第50页 |
| ·[(BTO)16/(STO)16]10超晶格的XRD图像分析 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第五章 [(BTO)m/(STO)m]n超晶格的性能分析 | 第52-56页 |
| ·[(BTO)m/(STO)m]n超晶格的界面扩散研究 | 第52-54页 |
| ·[(BTO)m/(STO)m]n超晶格的电性能研究 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 个人简历 | 第63页 |
