| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 第二章 局域电荷槽结构的耐压模型 | 第11-28页 |
| 2．1 具有局域电荷槽结构的SOI材料 | 第11-12页 |
| 2．2 局域电荷槽结构纵向耐压机理 | 第12-18页 |
| 2．3 界面电荷的计算 | 第18-25页 |
| 2．3．1． 界面电荷与漏端电压V的关系 | 第18-22页 |
| 2．3．2． SiO_2层电场与漏端电压V的关系 | 第22页 |
| 2．3．3． 反型层形状因子k | 第22-25页 |
| 2．4 模型验证 | 第25-27页 |
| 2．5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 具有局域电荷槽结构的高压器件 | 第28-48页 |
| 3．1． 具有局域电荷槽结构的SOILDMOS器件和工艺仿真分析 | 第28-39页 |
| 3．1．1． 器件结构 | 第28-29页 |
| 3．1．2． 局域电荷槽结构SOILDMOS仿真结果及讨论 | 第29-35页 |
| 3．1．3． 局域电荷槽参数的选定 | 第35-36页 |
| 3．1．4． 工艺容差分析 | 第36-38页 |
| 3．1．5． 正向特性 | 第38-39页 |
| 3．2． 复合结构高压SOI器件耐压原理 | 第39-47页 |
| 3．2．1． 复合结构电场分布 | 第39-40页 |
| 3．2．2． U型槽电极耐压原理 | 第40-44页 |
| 3．2．3． 双U型槽复合结构二维数值仿真分析 | 第44-47页 |
| 3．3． 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 局域电荷槽结构SOILDMOS制备 | 第48-62页 |
| 4．1． 局域电荷槽SOI材料的制备实验 | 第48-59页 |
| 4．1．1． SOI材料的版图 | 第49-50页 |
| 4．1．2． 具有局域电荷槽结构的SOI材料制备工艺流程 | 第50-54页 |
| 4．1．3． 实验过程、结果及分析 | 第54-59页 |
| 4．2． 具有局域电荷槽结构的SOILDMOS器件的制备 | 第59-61页 |
| 4．2．1． 器件版图设计 | 第59-60页 |
| 4．2．2． 器件工艺流程 | 第60-61页 |
| 4．3． 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录 | 第66-71页 |
| 附录一、等离子体刻蚀平坦化工艺过程简介 | 第66-68页 |
| 附录二、最佳平坦化时间的确定 | 第68-71页 |
