首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--薄膜物理学论文--薄膜的生长、结构和外延论文

p型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备与物性研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-16页
   ·透明导电氧化物的应用及研究意义第10页
   ·CuAlO_2 薄膜的发展及国内外研究现状第10-11页
   ·CuAlO_2 的晶体结构和电子结构第11-14页
     ·CuAlO_2 的晶体结构第11-12页
     ·CuAlO_2 的电子结构第12-14页
   ·本文的主要工作第14-16页
第2章 样品的制备方法和表征方法第16-26页
   ·CuAlO_2 薄膜的制备方法第16-19页
     ·脉冲激光沉积方法(PLD)第16-17页
     ·磁控溅射方法第17-18页
     ·化学气相沉积方法(CVD)第18页
     ·水热法和溶胶凝胶法第18-19页
   ·CuAlO_2 靶材和薄膜的表征方法第19-25页
     ·靶材和薄膜的结构分析-X 射线衍射法第19页
     ·薄膜表面形态的测定-SEM第19页
     ·靶材和薄膜电导率的测定-四探针法测量第19-22页
     ·霍尔系数测定原理第22-23页
     ·薄膜光学性质研究第23-25页
   ·本章小结第25-26页
第3章 CuAlO_2多晶陶瓷的制备与研究第26-34页
   ·CuAlO_2 多晶陶瓷的制备工艺第26-27页
   ·CuAlO_2 多晶陶瓷的的结构分析第27-30页
     ·未掺杂CuAlO_2 多晶陶瓷的XRD 谱分析第27-28页
     ·掺杂对CuAlO_2 多晶陶瓷结构的影响第28-30页
   ·CuAlO_2 多晶陶瓷电导率的测定第30-33页
   ·CuA02 多晶陶瓷霍尔系数的测定第33页
   ·本章小结第33-34页
第4章 CuAlO_2多晶薄膜的制备与物性表征第34-49页
   ·PLD 方法制备CuAlO_2 多晶薄膜第34-45页
     ·PLD 方法制备CuAlO_2 多晶薄膜的工艺第35-36页
     ·衬底对CuAlO_2 多晶薄膜结构的影响第36-38页
     ·衬底温度和氧分压对CuAlO_2 多晶薄膜结构的影响第38-39页
     ·5%MgO 掺杂CuAlO_2 多晶薄膜的结构第39-40页
     ·CuAlO_2 多晶薄膜的光学性质第40-43页
     ·CuAlO_2 多晶薄膜的表面形貌第43-45页
   ·磁控溅射法制备CuAlO_2 多晶薄膜第45-47页
     ·氧分压和衬底温度对CuAlO_2 多晶薄膜结构的影响第45-47页
     ·CuAlO_2 多晶薄膜的光学性质第47页
   ·本章小结第47-49页
结论第49-51页
参考文献第51-56页
致谢第56页

论文共56页,点击 下载论文
上一篇:PLD法制备Ni1-xCoxO4/3透明导电氧化物薄膜的研究
下一篇:马铃薯薯渣与汁水资源化发酵方法研究