首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--设计与计算论文

室温下工作的非易失性分子级存储单元的操作设计与分子动力学模拟

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-19页
   ·纳米科学技术的兴起第10-11页
   ·非易失性存储器的发展需求第11-12页
   ·碳纳米管分子级非易失性存储单元的研究介绍第12-18页
   ·本文的主要内容第18-19页
第2章 计算模拟方法第19-36页
   ·引言第19-20页
   ·经典分子动力学方法第20-28页
     ·基本原理第20页
     ·原子相互作用势第20-23页
     ·积分方法第23-26页
     ·边界条件第26-28页
     ·初始条件第28页
   ·等温控制方法第28-32页
     ·Langevin Equation方法第29-30页
     ·Berendsen温控方法第30-31页
     ·Nose-Hoover温控方法第31-32页
   ·外场力第32-34页
   ·本章小结第34-36页
第3章 封闭型碳纳米管存储单元第36-72页
   ·引言第36-37页
   ·开口型双层碳纳米管第37-44页
     ·碳纳米管层间范德华势的解析计算方法第37-41页
     ·开口型双层碳纳米管范德华势和力的解析表达式第41-44页
   ·封闭型双层碳纳米管第44-60页
     ·范德华势和范德华力的近似解析公式第45-49页
     ·机械双稳态特性第49-51页
     ·范德华摩擦力第51-54页
     ·封闭型双层碳纳米管的动态性能的计算模拟第54-60页
   ·封闭型双层碳纳米管存储单元第60-70页
     ·存储单元模型第60-62页
     ·读写操作概念第62-63页
     ·写控制电场的大小第63-64页
     ·控制电场的作用方式第64-69页
     ·封闭型非易失性存储单元的周期性写操作模拟第69-70页
   ·本章小结第70-72页
第4章 两段式开口型碳纳米管存储单元第72-103页
   ·引言第72-74页
   ·存储单元模型第74-80页
   ·双稳态特性第80-82页
   ·读写操作概念第82-84页
   ·写控制电压的大小第84-85页
   ·写控制电压的作用方式第85-90页
     ·初始激励型电压控制第85-87页
     ·过程保持型电压控制第87-90页
   ·两段式开口型非易失性存储单元的周期性写操作模拟第90-92页
   ·两段式开口型与封闭型、普通开口型存储单元的性能比较第92-101页
     ·封闭型存储单元在不同等温分子动力学模拟下的性能表现第93-95页
     ·普通开口型存储单元在不同等温分子动力学模拟下的性能表现第95-97页
     ·两段式开口型存储单元在不同等温分子动力学模拟下的性能表现第97-101页
   ·本章小结第101-103页
第5章 全文总结第103-106页
   ·论文完成的主要工作第103-104页
   ·本文的主要创新点第104-105页
   ·研究展望第105-106页
参考文献第106-114页
攻读博士学位期间完成的论文第114页
攻读博士学位期间所参与的科研项目第114-115页
致谢第115-116页

论文共116页,点击 下载论文
上一篇:ZnO回音壁微腔中激子极化激元色散、激射以及凝聚的实验研究
下一篇:中国国债收益率曲线研究