摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-19页 |
·纳米科学技术的兴起 | 第10-11页 |
·非易失性存储器的发展需求 | 第11-12页 |
·碳纳米管分子级非易失性存储单元的研究介绍 | 第12-18页 |
·本文的主要内容 | 第18-19页 |
第2章 计算模拟方法 | 第19-36页 |
·引言 | 第19-20页 |
·经典分子动力学方法 | 第20-28页 |
·基本原理 | 第20页 |
·原子相互作用势 | 第20-23页 |
·积分方法 | 第23-26页 |
·边界条件 | 第26-28页 |
·初始条件 | 第28页 |
·等温控制方法 | 第28-32页 |
·Langevin Equation方法 | 第29-30页 |
·Berendsen温控方法 | 第30-31页 |
·Nose-Hoover温控方法 | 第31-32页 |
·外场力 | 第32-34页 |
·本章小结 | 第34-36页 |
第3章 封闭型碳纳米管存储单元 | 第36-72页 |
·引言 | 第36-37页 |
·开口型双层碳纳米管 | 第37-44页 |
·碳纳米管层间范德华势的解析计算方法 | 第37-41页 |
·开口型双层碳纳米管范德华势和力的解析表达式 | 第41-44页 |
·封闭型双层碳纳米管 | 第44-60页 |
·范德华势和范德华力的近似解析公式 | 第45-49页 |
·机械双稳态特性 | 第49-51页 |
·范德华摩擦力 | 第51-54页 |
·封闭型双层碳纳米管的动态性能的计算模拟 | 第54-60页 |
·封闭型双层碳纳米管存储单元 | 第60-70页 |
·存储单元模型 | 第60-62页 |
·读写操作概念 | 第62-63页 |
·写控制电场的大小 | 第63-64页 |
·控制电场的作用方式 | 第64-69页 |
·封闭型非易失性存储单元的周期性写操作模拟 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
第4章 两段式开口型碳纳米管存储单元 | 第72-103页 |
·引言 | 第72-74页 |
·存储单元模型 | 第74-80页 |
·双稳态特性 | 第80-82页 |
·读写操作概念 | 第82-84页 |
·写控制电压的大小 | 第84-85页 |
·写控制电压的作用方式 | 第85-90页 |
·初始激励型电压控制 | 第85-87页 |
·过程保持型电压控制 | 第87-90页 |
·两段式开口型非易失性存储单元的周期性写操作模拟 | 第90-92页 |
·两段式开口型与封闭型、普通开口型存储单元的性能比较 | 第92-101页 |
·封闭型存储单元在不同等温分子动力学模拟下的性能表现 | 第93-95页 |
·普通开口型存储单元在不同等温分子动力学模拟下的性能表现 | 第95-97页 |
·两段式开口型存储单元在不同等温分子动力学模拟下的性能表现 | 第97-101页 |
·本章小结 | 第101-103页 |
第5章 全文总结 | 第103-106页 |
·论文完成的主要工作 | 第103-104页 |
·本文的主要创新点 | 第104-105页 |
·研究展望 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-114页 |
攻读博士学位期间完成的论文 | 第114页 |
攻读博士学位期间所参与的科研项目 | 第114-115页 |
致谢 | 第115-116页 |