| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 忆阻器简介 | 第11-13页 |
| 1.3 忆阻器的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 常见忆阻机制介绍 | 第14-18页 |
| 1.5 忆阻器温度特性研究意义 | 第18-19页 |
| 1.6 论文的主要内容和结构安排 | 第19-21页 |
| 2 硫系化合物忆阻器制备工艺及测试系统研究 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 银掺杂硫系化合物忆阻器制备工艺研究 | 第21-26页 |
| 2.3 忆阻器测试系统 | 第26-27页 |
| 2.4 忆阻器温度特性测试要点 | 第27-28页 |
| 2.5 小结 | 第28-29页 |
| 3 硫系化合物忆阻器的忆阻特性研究 | 第29-47页 |
| 3.1 非晶态AgGeTe材料特性研究 | 第29-30页 |
| 3.2 Ag/AgGeTe/Ta忆阻器的忆阻特性研究 | 第30-37页 |
| 3.3 Ag/AgGeTe/Ta忆阻器的阻变机理研究 | 第37-40页 |
| 3.4 非晶态AgInSbTe材料特性研究 | 第40-41页 |
| 3.5 Ag/AIST/Ta忆阻器的忆阻特性研究 | 第41-43页 |
| 3.6 Ag/AIST/Ta忆阻器的阻变机理研究 | 第43-45页 |
| 3.7 小结 | 第45-47页 |
| 4 硫系化合物忆阻器的温度特性研究 | 第47-53页 |
| 4.1 Ag/AgGeTe/Ta器件的温度特性研究 | 第47-49页 |
| 4.2 Ag/AIST/Ta忆阻器的温度特性研究 | 第49-52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 5 结论与展望 | 第53-56页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录 攻读硕士学位期间学术成果 | 第62页 |
