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几种半导体材料的电子结构及光催化等性质的理论研究

目录第1-8页
Contents第8-12页
摘要第12-16页
Abstract第16-24页
符号说明第24-25页
第一章 绪论第25-37页
   ·引言第25页
   ·宽带隙金属氧化物半导体的光催化应用第25-30页
     ·SrTiO_3第25-29页
     ·GaN/ZnO固溶体和Bi-基氧化物Bi_(12)TiO_(20),Bi_2Ti_2O_7和Bi_4Ti_3O_(12)第29-30页
   ·宽带隙金属氧化物半导体气体传感器的应用第30-31页
   ·宽带隙金属氧化物半导体的自旋电子学应用第31-32页
   ·本论文的研究内容及主要结论第32-34页
 参考文献第34-37页
第二章 密度泛函理论基础第37-51页
   ·电子密度第37-38页
   ·Born-Oppenheimer近似与Hartree-Fock近似第38-41页
   ·密度泛函理论第41-43页
     ·Thomas-Fermi模型第41页
     ·Hohenberg-Kohn定理第41-42页
     ·Kohn-Sham方程第42-43页
   ·交换关联泛函(Correlation exchange functional)第43-46页
     ·局域密度近似(Local Density Approximation,LDA)第44-45页
     ·广义梯度近似(General Gradient Approximation,GGA)第45页
     ·轨道泛函LDA(GGA)+U第45页
     ·杂化密度泛函(Hybrid Density Functional)第45-46页
   ·平面波和赝势方法第46-48页
     ·平面波方法第46-47页
     ·赝势方法第47-48页
   ·自旋限制与非限制计算第48页
   ·密度泛函理论的修正与扩展第48-49页
   ·本文采用的密度泛函理论计算软件包第49页
 参考文献第49-51页
第三章 掺杂,表面吸附金属的SrTiO_3以及其它一些光催化材料的电子结构研究第51-145页
   ·Cr掺杂的SrTiO_3第51-62页
     ·实验和理论研究背景第51-52页
     ·计算方法和模型第52-53页
     ·结果和讨论第53-59页
       ·结构和缺陷形成能第53-55页
       ·电子结构第55-59页
         ·Cr@Sr和Cr@Ti(x=0.125)结构第55-57页
         ·Cr@Sr/Cr@Ti(x=0.125)结构第57-58页
         ·Cr@Sr和Cr@Ti(x=0.05)结构第58-59页
     ·小结第59-60页
  参考文献第60-62页
   ·N/La共掺杂的SrTiO_3第62-71页
     ·实验和理论研究背景第62-63页
     ·计算方法和模型第63页
     ·结果和讨论第63-68页
       ·缺陷形成能第63-64页
       ·电子结构第64-68页
     ·小结第68页
  参考文献第68-71页
   ·金属、非金属掺杂对N掺杂SrTiO3的影响第71-86页
     ·实验和理论研究背景第71-72页
     ·计算方法和模型第72-73页
     ·结果和讨论第73-84页
       ·几何结构第73-75页
       ·缺陷形成能第75-77页
       ·电子结构第77-84页
     ·小结第84页
  参考文献第84-86页
   ·Ag在SrTiO_3(001)表面的吸附第86-97页
     ·实验和理论研究背景第86-87页
     ·计算方法和模型第87-88页
     ·结果和讨论第88-94页
     ·小结第94页
  参考文献第94-97页
   ·Cu在SrTiO_3(001)表面的吸附第97-108页
     ·实验和理论研究背景第97-98页
     ·计算方法和模型第98-99页
     ·结果和讨论第99-105页
       ·Cu在SrTiO_3(001)表面TiO_2-终端的吸附结构第99-104页
       ·Cu在SrTiO_3(001)表面SrO-终端的吸附第104-105页
     ·小结第105-106页
  参考文献第106-108页
   ·Ag在从SrTiO_3(001)表面向CO和NO电荷转移过程中的作用第108-119页
     ·实验和理论研究背景第108-109页
     ·计算方法和模型第109-110页
     ·结果和讨论第110-116页
       ·Ag/SrTiO_3:Nb第110-114页
       ·CO/SrTiO_3和NO/SrTiO_3第114-115页
       ·CO/Ag/SrTiO_3:Nb和NO/Ag/SrTiO_3:Nb第115-116页
     ·小结第116页
  参考文献第116-119页
   ·Au在SrTiO_3(001)表面SrO-终端的吸附特征以及其在电荷从Nb掺杂SrTiO_3向NO转移过程中的作用第119页
 向NO转移过程中的作用第119页
     ·实验和理论研究背景第119页
     ·计算方法和模型第119-121页
     ·结果和讨论第121-127页
       ·Au/SrTiO_3和Au/SrTiO_3:Nb第121-126页
         ·Au/SrTiO_3第121-125页
         ·Au/SrTiO_3:Nb第125-126页
       ·NO/SrTiO_3,NO/SrTiO_3:Nb和NO/Au/SrTiO_3:Nb第126-127页
     ·小结第127-128页
 参考文献第128-130页
   ·Pt在从SrTiO_3(001)表面SrO-终端向H_2O分子的电荷转移过程中的作用第130页
     ·实验和理论研究背景第130-131页
     ·计算方法和模型第131-133页
     ·结果和讨论第133-141页
       ·H_2O/SrTiO_3第133-135页
       ·Pt/SrTiO_3和Pt/SrTiO_3:Nb第135-139页
       ·H_2O/Pt/SrTiO_3:Nb第139-141页
     ·小结第141-142页
 参考文献第142-145页
   ·Bi-基氧化物光催化材料Bi_(12)TiO_(20),Bi_2Ti_2O_7和Bi_4Ti_3O_(12)第145-155页
     ·实验和理论研究背景第145-146页
     ·计算方法和模型第146-147页
     ·结果和讨论第147-152页
       ·优化的BTO结构第147-148页
       ·BTO的电子结构第148-150页
       ·C和N掺杂BTO第150-152页
     ·小结第152-153页
 参考文献第153-155页
   ·GaN/ZnO固溶体第155-163页
     ·实验和理论研究背景第155-156页
     ·计算方法和模型第156页
     ·结果和讨论第156-160页
       ·结构优化和缺陷形成能第156-158页
       ·电子结构第158-160页
     ·小结第160-161页
 参考文献第161-163页
第四章 Cu掺杂对H_2S在SnO_2表面吸附特征的影响第163-173页
   ·实验和理论研究背景第163-164页
   ·计算方法和模型第164-165页
   ·结果和讨论第165-170页
     ·H_2S在SnO_2(110)表面的吸附第165-166页
     ·Cu掺杂对SnO_2传感性能的影响第166-170页
   ·小结第170-171页
 参考文献第171-173页
第五章 Zn,Cr掺杂SnO_2的磁性研究第173-191页
   ·Zn掺杂SnO_2的磁性第173-182页
     ·实验和理论研究背景第173-174页
     ·计算方法和模型第174页
     ·结果和讨论第174-179页
       ·SnO_2中空穴的自旋极化第174-175页
       ·Zn掺杂SnO_2的电子结构和磁性第175-178页
       ·Zn掺杂SnO_2的缺陷第178-179页
     ·小结第179-180页
  参考文献第180-182页
   ·Cr掺杂SnO_2中的磁性及氧空位的影响第182-191页
     ·实验和理论研究背景第182-183页
     ·计算方法和模型第183页
     ·结果和讨论第183-189页
     ·小结第189页
  参考文献第189-191页
第六章 总结与展望第191-193页
   ·总结第191-192页
   ·展望第192-193页
致谢第193-194页
攻读学位期间发表的学术论文目录第194-198页
 1 发表文章目录第194-196页
 2 参加国际会议第196页
 3 获奖情况第196-197页
 4 参与科研项目第197-198页
附录:攻读博士期间所发表的英文论文(原文)第198-212页
学位论文评阅及答辩情况表第212页

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