| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 微电子技术的发展历史 | 第16-17页 |
| 1.2 砷化镓高电子迁移率晶体管 | 第17-20页 |
| 1.2.1 砷化镓的材料属性 | 第17-18页 |
| 1.2.2 GaAs高电子迁移率晶体管 | 第18-20页 |
| 1.2.3 GaAs场效应管的应用 | 第20页 |
| 1.3 半导体器件建模的必要性和器件模型的发展 | 第20-23页 |
| 1.3.1 半导体器件建模的重要性 | 第20-22页 |
| 1.3.2 半导体器件建模的发展和现状 | 第22-23页 |
| 1.4 本文主要研究工作 | 第23-24页 |
| 第二章 GaAs PHEMT器件电学特性及器件测试系统 | 第24-34页 |
| 2.1 简介 | 第24页 |
| 2.2 HEMT器件工作原理 | 第24-26页 |
| 2.3 GaAs PHEMT器件电学特性分析 | 第26-29页 |
| 2.3.1 PHEMT器件直流和小信号参数 | 第26-28页 |
| 2.3.2 PHEMT器件的I-V特性 | 第28-29页 |
| 2.4 器件建模测试系统 | 第29-31页 |
| 2.5 去嵌化（de-embedding）技术 | 第31-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 GaAs PHEMT器件小信号模型建立与验证 | 第34-44页 |
| 3.1 简介 | 第34页 |
| 3.2 小信号模型理论分析 | 第34-36页 |
| 3.3 外部寄生元件参数的提取 | 第36-39页 |
| 3.3.1 Cold-FET高频测试-外部元件参数的提取 | 第36-39页 |
| 3.4 内部本征元件的提取 | 第39-42页 |
| 3.5 参数提取结果分析与验证 | 第42-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 GaAs PHEMT器件大信号模型建立与验证 | 第44-66页 |
| 4.1 简介 | 第44页 |
| 4.2 大信号模型介绍 | 第44-45页 |
| 4.3 EEHEMT大信号模型 | 第45-56页 |
| 4.3.1 漏源极电流参数（Drain-Source Current Parameters） | 第45-47页 |
| 4.3.2 EEHEMT跨导压缩参数 | 第47-49页 |
| 4.3.3 电流色散参数(Dispersion Current Parameters) | 第49-51页 |
| 4.3.4 电荷参数（Charge Parameters） | 第51-54页 |
| 4.3.5 栅极正向传导和击穿参数（Gate Forward Conduction and BreakdownParameters） | 第54-55页 |
| 4.3.6 温度参数（Temperature Parameters） | 第55-56页 |
| 4.4 模拟与测量结果验证与讨论 | 第56-60页 |
| 4.4.1 GaAs PHEMT器件直流特性模拟与测量结果比较 | 第56-58页 |
| 4.4.2 GaAs PHEMT器件电容和小信号S参数特性模拟与测量结果比较 | 第58-59页 |
| 4.4.3 GaAs PHEMT高频功率特性仿真与测量结果比较 | 第59-60页 |
| 4.5 变温下的大信号模型 | 第60-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 GaAs PHEMT器件大信号模型的优化 | 第66-78页 |
| 5.1 简介 | 第66页 |
| 5.2 现有GaAs PHEMT器件模型存在的问题 | 第66-67页 |
| 5.3 优化后EEHEMT模型分析 | 第67-71页 |
| 5.3.1 漏源电流-栅源电压关系曲线表达式修正 | 第67-69页 |
| 5.3.2 自热效应网络修正 | 第69-71页 |
| 5.4 优化后EEHEMT模型对比验证 | 第71-75页 |
| 5.4.1 跨导曲线优化对比验证 | 第71-73页 |
| 5.4.2 热电路网络修改验证 | 第73-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-78页 |
| 第六章 结论与未来工作 | 第78-80页 |
| 6.1 结论 | 第78页 |
| 6.2 未来工作 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |
