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氮化硅添加与转化对碳化硅成膜及孔径的影响

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 文献综述第12-26页
    1.1 前言第12-13页
    1.2 碳化硅陶瓷膜第13-19页
        1.2.1 碳化硅的结构第14-15页
        1.2.2 陶瓷膜的制备方法第15-17页
        1.2.3 碳化硅陶瓷膜的应用第17-18页
        1.2.4 碳化硅陶瓷膜的研究现状第18-19页
    1.3 碳化硅陶瓷浆料的研究第19-22页
        1.3.1 碳化硅浆料的稳定机理第19-20页
        1.3.2 碳化硅浆料的研究现状第20-22页
    1.4 氮化硅的特性第22-24页
    1.5 研究的意义、目的及内容第24-26页
        1.5.1 研究意义与目的第24页
        1.5.2 研究内容第24-26页
第2章 实验原料及设备第26-36页
    2.1 实验原料及设备第26-29页
        2.1.1 实验原料第26-28页
        2.1.2 实验设备第28-29页
    2.2 实验方法第29-30页
        2.2.1 碳化硅陶瓷浆料的制备第29页
        2.2.2 碳化硅陶瓷膜的制备第29-30页
    2.3 测试及表征第30-36页
        2.3.1 浆料粘度第30页
        2.3.2 膜层表面第30-31页
        2.3.3 Zeta电位第31页
        2.3.4 沉降高度第31页
        2.3.5 粒度分布第31-32页
        2.3.6 物相分析第32页
        2.3.7 形貌分析第32页
        2.3.8 孔径分布测试第32-34页
        2.3.9 纯水通量测试第34-36页
第3章 碳化硅浆料的制备及性能研究第36-62页
    3.1 引言第36页
    3.2 固含量对碳化硅浆料性能的影响第36-42页
        3.2.1 固含量对碳化硅浆料粘度的影响第37-38页
        3.2.2 固含量对碳化硅浆料沉降性能的影响第38-39页
        3.2.3 固含量对碳化硅浆料粒度分布的影响第39-40页
        3.2.4 固含量对碳化硅浆料成膜效果的影响第40-41页
        3.2.5 固含量对碳化硅膜层厚度的影响第41-42页
    3.3 分散剂对碳化硅浆料的性能的影响第42-50页
        3.3.1 不同分散剂和pH值对碳化硅浆料Zeta电位的影响第43-44页
        3.3.2 不同分散剂及pH值对碳化硅浆料粘度的影响第44-45页
        3.3.3 不同分散剂对碳化硅浆料沉降性能的影响第45-46页
        3.3.4 不同分散剂对碳化硅浆料粒度分布的影响第46-48页
        3.3.5 不同分散剂对碳化硅浆料成膜效果的影响第48-49页
        3.3.6 不同分散剂对碳化硅膜层厚度的影响第49-50页
    3.4 分散剂用量对碳化硅浆料性能的影响第50-56页
        3.4.1 TMAH添加量对碳化硅浆料Zeta电位的影响第50-51页
        3.4.2 TMAH添加量对碳化硅浆料粘度的影响第51-52页
        3.4.3 TMAH添加量对碳化硅浆料沉降性能的影响第52-53页
        3.4.4 TMAH添加量对碳化硅浆料粒度分布的影响第53-54页
        3.4.5 TMAH添加量对碳化硅浆料成膜效果的影响第54-55页
        3.4.6 TMAH添加量对碳化硅膜层厚度的影响第55-56页
    3.5 氮化硅添加量对碳化硅浆料性能的影响第56-60页
        3.5.1 氮化硅添加量对碳化硅浆料粘度的影响第56-57页
        3.5.2 氮化硅添加量对碳化硅浆料沉降性能的影响第57页
        3.5.3 氮化硅添加量对碳化硅浆料粒度分布的影响第57页
        3.5.4 氮化硅添加量对碳化硅浆料成膜效果的影响第57-58页
        3.5.5 氮化硅添加量对碳化硅膜层厚度的影响第58-60页
    3.6 本章小结第60-62页
第4章 氮化硅添加与转化对碳化硅陶瓷膜的制备及其性能影响第62-78页
    4.1 引言第62页
    4.2 氮化硅转化为碳化硅研究第62-65页
        4.2.1 氮化硅转化碳化硅反应温度的研究第63-64页
        4.2.2 氮化硅转化碳化硅形貌的研究第64页
        4.2.3 氮化硅转化碳化硅机理第64-65页
    4.3 烧成温度对碳化硅成膜及孔径的影响第65-70页
        4.3.1 烧成温度对碳化硅膜表面性能的影响第65-66页
        4.3.2 烧成温度对碳化硅膜物相的影响第66-67页
        4.3.3 反应温度对碳化硅膜形貌的影响第67-69页
        4.3.4 烧成温度对碳化硅膜孔径分布的影响第69-70页
        4.3.5 烧成温度对碳化硅膜纯水通量的影响第70页
    4.4 氮化硅添加量对碳化硅成膜及孔径的影响第70-75页
        4.4.1 氮化硅添加量对碳化硅膜表面性能的影响第71-72页
        4.4.2 氮化硅添加量对碳化硅膜物相的影响第72页
        4.4.3 氮化硅添加量对碳化硅膜形貌的影响第72-74页
        4.4.4 氮化硅添加量对碳化硅膜孔径分布的影响第74-75页
        4.4.5 氮化硅添加量对碳化硅膜纯水通量的影响第75页
    4.5 本章小结第75-78页
第5章 结论第78-80页
参考文献第80-88页
攻读硕士期间研究成果第88-90页
致谢第90页

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