| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 SiC材料的特点 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC基VDMOS器件优势及应用 | 第10-14页 |
| 1.3 SiC基VDMOS器件高温特性研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第18-19页 |
| 第二章 SiC基VDMOS器件工作原理及电学参数高温特性研究平台 | 第19-39页 |
| 2.1 SiC基VDMOS器件基本结构及工作原理 | 第19-26页 |
| 2.2 SiC基VDMOS器件高温测试平台 | 第26-31页 |
| 2.3 SiC基VDMOS器件高温仿真平台 | 第31-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 SiC基VDMOS静态电学参数高温特性研究 | 第39-57页 |
| 3.1 阈值电压的高温特性及机理 | 第39-44页 |
| 3.2 导通电阻的高温特性及机理 | 第44-48页 |
| 3.3 输出特性的高温特性及机理 | 第48-52页 |
| 3.4 阻断特性的高温特性及机理 | 第52-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 SiC基VDMOS动态电学参数高温特性研究 | 第57-87页 |
| 4.1 寄生电容的高温特性及机理 | 第57-60页 |
| 4.2 栅电荷的高温特性及机理 | 第60-65页 |
| 4.3 开关特性的高温特性及机理 | 第65-75页 |
| 4.4 寄生体二极管反向恢复特性的高温特性及机理 | 第75-81页 |
| 4.5 短路鲁棒性的高温特性及机理 | 第81-86页 |
| 4.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 应用SiC基VDMOS的PFC系统高温特性研究 | 第87-95页 |
| 5.1 有源BoostPFC变换器基本原理 | 第87-89页 |
| 5.2 高温对采用SiC基VDMOS的PFC系统的影响 | 第89-94页 |
| 5.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 总结与展望 | 第95-97页 |
| 6.1 总结 | 第95页 |
| 6.2 展望 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 硕士期间取得的成果 | 第103页 |
